半导体表面上的复合速度英文解释翻译、半导体表面上的复合速度的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 recombination velocity

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

apparently; on the surface; professedly

【电】 recombination velocity

在半导体物理学中，"表面复合速度"（Surface Recombination Velocity）是描述载流子在材料表面因复合作用而损失速率的量化参数。其定义为：单位时间内通过单位表面积复合的载流子数目与该区域载流子浓度梯度的比值，数学表达式为：

$$ S = frac{J}{Δn} $$

其中S代表复合速度（cm/s），J为载流子流密度（cm⁻²s⁻¹），Δn为表面过剩载流子浓度（cm⁻³）。该参数直接影响器件性能，例如在太阳能电池中，高复合速度会导致开路电压下降。

从微观机制分析，表面复合主要受三个因素影响：

实验测量方面，国际半导体技术路线图（ITRS）推荐采用微波光电导衰减法（μ-PCD）进行非破坏性检测。美国国家标准与技术研究院（NIST）的最新研究显示，硅材料经过原子层沉积Al₂O₃处理后，表面复合速度可从10⁴ cm/s降至10² cm/s量级。

该参数在器件建模中的重要性体现在：通过求解连续性方程时，表面复合速度作为边界条件直接影响载流子浓度分布的数值解精度。IEEE Transactions on Electron Devices多篇论文证实，忽略表面复合效应会使MOSFET器件的漏电流模拟误差超过30%。

参考文献：《半导体物理学（第7版）》，刘恩科等著，电子工业出版社施敏,《半导体器件物理与工艺（第三版)》, Wiley出版社 NIST Technical Note 2106 IEEE Xplore Digital Library 文献数据库

半导体表面上的复合速度（Surface Recombination Velocity）是描述半导体表面载流子复合效率的重要参数，其核心定义和意义如下：

1. 基本定义
表面复合速度（S）表示单位时间内通过单位表面积复合的电子-空穴对数量，单位为cm/s。它量化了表面复合过程的快慢，数值越大表明表面复合作用越强。

2. 物理意义
表面复合主要发生在半导体与外界（如氧化层、金属接触等）的界面处，由于表面存在高密度的复合中心（如悬挂键、缺陷态等），载流子在此处更容易发生复合。复合速度S可理解为载流子被表面“捕获”并复合的速率，类似于载流子向表面运动的等效速度。

3. 影响因素

4. 应用与影响
高表面复合速度会导致器件性能下降，例如太阳能电池的效率损失、晶体管的漏电流增加等。因此，在半导体器件制造中，常通过表面钝化技术抑制复合速度。

如需进一步了解表面复合的数学模型（如与体复合的区别），可参考半导体物理相关教材或研究文献。