英语翻译：

【计】 memory element

相关词条：

1.storageelement  2.storagecell  3.memorycell  

分词翻译：

存的英语翻译：

accumulate; deposit; exist; keep; live

储的英语翻译：

store up

元件的英语翻译：

component; element; organ
【计】 E
【化】 element

专业解析

在电子工程领域，"存储元件"（英文：Memory Cell）指构成数字存储系统的最小物理单元，用于存储单个二进制位（bit）数据（0或1）。其核心功能是通过物理状态（如电荷、磁性方向或相变材料状态）的稳定保持来实现数据的非易失性或易失性存储。以下是详细解析：

一、基础定义与工作原理

1. 物理实现

   存储元件通常由晶体管与电容（如DRAM）、浮栅MOSFET（如Flash）或磁性隧道结（如MRAM）构成。例如DRAM单元通过电容电荷存储数据，需周期性刷新以维持状态；而NAND Flash则利用浮栅捕获电荷实现非易失存储 。

2. 读写机制

   写入时外部电路改变单元物理状态（如注入/释放电荷），读取时通过检测电流/电压变化识别状态。SRAM单元使用交叉耦合的反相器实现快速静态存储，无需刷新 。

二、关键特性与技术参数

1. 存储类型分类
   • 易失性存储：断电后数据丢失（如SRAM/DRAM），依赖持续供电。
   • 非易失性存储：断电后数据保留（如Flash/EEPROM），依赖物理状态稳定性 。
2. 性能指标
   • 存取时间：SRAM可达纳秒级，DRAM约数十纳秒，NAND Flash在微秒级。
   • 密度与功耗：DRAM单元面积约6F²（F为工艺尺寸），3D NAND通过堆叠层数提升密度，MRAM以低功耗见长 。

三、典型应用场景

1. 集成电路层级

   数亿存储元件集成于内存芯片（如DRAM芯片含Gb级单元），通过行列地址矩阵寻址 。

2. 技术演进

   从平面NAND到3D V-NAND（层数超160层），以及新兴的ReRAM（电阻式存储）和PCRAM（相变存储），追求更高密度与能效 。

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权威参考来源：

1. IEEE Xplore: Memory Cell Design Principles（需替换为实际文献DOI）
2. 半导体工程：存储技术白皮书
3. 美国国家标准与技术研究院（NIST）电子术语库

（注：实际链接需替换为具体文献或权威机构网页，此处为示例格式）

网络扩展解释

存储元件是计算机存储系统中用于保存二进制信息的最小物理单位，以下是详细解释：

1. 基本定义

   • 存储元件（Storage Element）又称存储基元或存储元，是存储器中能寄存一位二进制代码（0或1）的物理元件，例如触发器、电容或磁性材料等。它是构成存储单元的基础组件。

2. 功能特性

   • 每个存储元件仅存储1位数据，需通过组合多个存储元件形成存储单元（如8位构成1字节）。其核心功能是通过物理状态（如电压高低、磁性方向）保持二进制信息，且具有双稳态特性以维持数据稳定。

3. 结构与应用

   • 常见实现形式包括锁存器、电容阵列等。例如，锁存器通过双稳态电路实现数据暂存，而动态RAM（DRAM）则利用电容电荷存储信息。存储元件通常以寄存器组或大规模阵列形式集成在存储器中（如RAM芯片）。

4. 相关概念区分

   • 存储单元：由多个存储元件组成，可存放一个完整存储字（如32位），具有独立地址。
   • 存储字：存储单元中二进制代码的集合，其位数称为存储字长。
   • 存储器：由大量存储元件和存储单元构成，分为内存（主存）和外存，如所述。

5. 技术分类

   • 根据数据保持方式，分为易失性（如RAM）和非易失性（如ROM、闪存）。提到，RAM允许读写且依赖电源，而ROM数据永久存储不可改写。

示例：在DRAM中，一个存储元件对应一个电容和一个晶体管，电容充电表示1，放电表示0。多个这样的元件组成存储单元，进而构成内存芯片。

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