英語翻譯：

【計】 memory element

相關詞條：

1.storageelement  2.storagecell  3.memorycell  

分詞翻譯：

存的英語翻譯：

accumulate; deposit; exist; keep; live

儲的英語翻譯：

store up

元件的英語翻譯：

component; element; organ
【計】 E
【化】 element

專業解析

在電子工程領域，"存儲元件"（英文：Memory Cell）指構成數字存儲系統的最小物理單元，用于存儲單個二進制位（bit）數據（0或1）。其核心功能是通過物理狀态（如電荷、磁性方向或相變材料狀态）的穩定保持來實現數據的非易失性或易失性存儲。以下是詳細解析：

一、基礎定義與工作原理

1. 物理實現

   存儲元件通常由晶體管與電容（如DRAM）、浮栅MOSFET（如Flash）或磁性隧道結（如MRAM）構成。例如DRAM單元通過電容電荷存儲數據，需周期性刷新以維持狀态；而NAND Flash則利用浮栅捕獲電荷實現非易失存儲 。

2. 讀寫機制

   寫入時外部電路改變單元物理狀态（如注入/釋放電荷），讀取時通過檢測電流/電壓變化識别狀态。SRAM單元使用交叉耦合的反相器實現快速靜态存儲，無需刷新 。

二、關鍵特性與技術參數

1. 存儲類型分類
   • 易失性存儲：斷電後數據丢失（如SRAM/DRAM），依賴持續供電。
   • 非易失性存儲：斷電後數據保留（如Flash/EEPROM），依賴物理狀态穩定性 。
2. 性能指标
   • 存取時間：SRAM可達納秒級，DRAM約數十納秒，NAND Flash在微秒級。
   • 密度與功耗：DRAM單元面積約6F²（F為工藝尺寸），3D NAND通過堆疊層數提升密度，MRAM以低功耗見長 。

三、典型應用場景

1. 集成電路層級

   數億存儲元件集成于内存芯片（如DRAM芯片含Gb級單元），通過行列地址矩陣尋址 。

2. 技術演進

   從平面NAND到3D V-NAND（層數超160層），以及新興的ReRAM（電阻式存儲）和PCRAM（相變存儲），追求更高密度與能效 。

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權威參考來源：

1. IEEE Xplore: Memory Cell Design Principles（需替換為實際文獻DOI）
2. 半導體工程：存儲技術白皮書
3. 美國國家标準與技術研究院（NIST）電子術語庫

（注：實際鍊接需替換為具體文獻或權威機構網頁，此處為示例格式）

網絡擴展解釋

存儲元件是計算機存儲系統中用于保存二進制信息的最小物理單位，以下是詳細解釋：

1. 基本定義

   • 存儲元件（Storage Element）又稱存儲基元或存儲元，是存儲器中能寄存一位二進制代碼（0或1）的物理元件，例如觸發器、電容或磁性材料等。它是構成存儲單元的基礎組件。

2. 功能特性

   • 每個存儲元件僅存儲1位數據，需通過組合多個存儲元件形成存儲單元（如8位構成1字節）。其核心功能是通過物理狀态（如電壓高低、磁性方向）保持二進制信息，且具有雙穩态特性以維持數據穩定。

3. 結構與應用

   • 常見實現形式包括鎖存器、電容陣列等。例如，鎖存器通過雙穩态電路實現數據暫存，而動态RAM（DRAM）則利用電容電荷存儲信息。存儲元件通常以寄存器組或大規模陣列形式集成在存儲器中（如RAM芯片）。

4. 相關概念區分

   • 存儲單元：由多個存儲元件組成，可存放一個完整存儲字（如32位），具有獨立地址。
   • 存儲字：存儲單元中二進制代碼的集合，其位數稱為存儲字長。
   • 存儲器：由大量存儲元件和存儲單元構成，分為内存（主存）和外存，如所述。

5. 技術分類

   • 根據數據保持方式，分為易失性（如RAM）和非易失性（如ROM、閃存）。提到，RAM允許讀寫且依賴電源，而ROM數據永久存儲不可改寫。

示例：在DRAM中，一個存儲元件對應一個電容和一個晶體管，電容充電表示1，放電表示0。多個這樣的元件組成存儲單元，進而構成内存芯片。

分類

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