磁动电阻器英文解释翻译、磁动电阻器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 magnetoresistor

分词翻译：

磁的英语翻译：

magnetism

动的英语翻译：

act; move; stir; use
【医】 kino-

电阻器的英语翻译：

resistor
【化】 resistor

专业解析

磁动电阻器（Magnetoresistor）是一种特殊的电子元件，其电阻值会随外加磁场强度的变化而发生显著改变。该术语在汉英词典中通常对应为Magnetoresistor 或Magnetic Dependent Resistor (MDR)。以下是其详细解释：

一、核心定义与工作原理

磁动电阻器基于磁阻效应（Magnetoresistance Effect）工作。当材料置于磁场中时，其内部载流子（电子或空穴）的运动路径受洛伦兹力影响发生偏转，导致电阻率升高。这种现象在铁磁材料（如镍铁合金）或半导体材料（如铟锑化合物）中尤为显著。

二、技术特性

灵敏度：电阻变化率（ΔR/R）与磁场强度（H）呈非线性关系，典型值可达 2%~5%/Oe（奥斯特）。
方向依赖性：多数磁阻元件对磁场方向敏感，平行或垂直于电流方向的磁场可能产生不同响应。
温度稳定性：部分材料需温度补偿电路以抑制温漂，如采用惠斯通电桥结构。

三、主要应用场景

位置与位移检测：用于无接触式线性/旋转编码器（如工业机器人关节控制）。
转速传感：汽车ABS系统、电机转速监控中检测齿轮齿隙磁场变化。
电流测量：通过检测载流导线周围的磁场实现隔离式电流传感。

四、权威定义参考

根据IEEE标准术语库（IEEE Std 100），磁阻效应定义为：

"The change in electrical resistance of a material when subjected to a magnetic field, primarily due to altered charge carrier trajectories."
（材料在磁场作用下电阻值的变化，主要由载流子运动轨迹改变引起）。

五、与相关术语的区分

磁敏电阻 vs 霍尔元件：前者依赖电阻变化，输出模拟信号；后者基于霍尔电压，需外加电源且输出为电压信号。
AMR/GMR/TMR：各向异性磁阻（AMR）、巨磁阻（GMR）和隧道磁阻（TMR）代表不同代际的技术，灵敏度逐代提升。

注：部分文献中"磁动电阻器"可能为"magneto-motive resistor"的直译，但行业通用术语为Magnetoresistor。

网络扩展解释

磁动电阻器（Magnetoresistor）是一种基于磁阻效应的电子元件，其电阻值会随外部磁场强度变化而改变。以下是详细解释：

1. 定义与核心原理

该器件名称由"磁"（磁场作用）、"动"（动态变化）和"电阻器"（阻碍电流）三部分构成。
核心基于磁阻效应：某些材料的电阻率在磁场作用下会发生显著变化，例如半导体或特殊合金材料在磁场中载流子运动路径改变，导致电阻值升高或降低。

2. 工作机制

当施加外部磁场时，材料内部电子运动轨迹受洛伦兹力影响发生偏转，增加碰撞概率，从而提升电阻值。
电阻变化量ΔR与磁场强度B的关系可表示为： $$ ΔR = k cdot B^n $$ 其中k为材料系数，n通常为1-2（具体取决于材料类型）。

3. 典型应用

磁场检测：用于磁力计、位置传感器等设备
数据存储：早期硬盘磁头读取技术
工业控制：非接触式开关、转速测量

注：由于搜索结果信息有限，更详细的技术参数建议查阅电子元件手册或专业文献。