磁動電阻器英文解釋翻譯、磁動電阻器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 magnetoresistor

分詞翻譯：

磁的英語翻譯：

magnetism

動的英語翻譯：

act; move; stir; use
【醫】 kino-

電阻器的英語翻譯：

resistor
【化】 resistor

專業解析

磁動電阻器（Magnetoresistor）是一種特殊的電子元件，其電阻值會隨外加磁場強度的變化而發生顯著改變。該術語在漢英詞典中通常對應為Magnetoresistor 或Magnetic Dependent Resistor (MDR)。以下是其詳細解釋：

一、核心定義與工作原理

磁動電阻器基于磁阻效應（Magnetoresistance Effect）工作。當材料置于磁場中時，其内部載流子（電子或空穴）的運動路徑受洛倫茲力影響發生偏轉，導緻電阻率升高。這種現象在鐵磁材料（如鎳鐵合金）或半導體材料（如铟銻化合物）中尤為顯著。

二、技術特性

靈敏度：電阻變化率（ΔR/R）與磁場強度（H）呈非線性關系，典型值可達 2%~5%/Oe（奧斯特）。
方向依賴性：多數磁阻元件對磁場方向敏感，平行或垂直于電流方向的磁場可能産生不同響應。
溫度穩定性：部分材料需溫度補償電路以抑制溫漂，如采用惠斯通電橋結構。

三、主要應用場景

位置與位移檢測：用于無接觸式線性/旋轉編碼器（如工業機器人關節控制）。
轉速傳感：汽車ABS系統、電機轉速監控中檢測齒輪齒隙磁場變化。
電流測量：通過檢測載流導線周圍的磁場實現隔離式電流傳感。

四、權威定義參考

根據IEEE标準術語庫（IEEE Std 100），磁阻效應定義為：

"The change in electrical resistance of a material when subjected to a magnetic field, primarily due to altered charge carrier trajectories."
（材料在磁場作用下電阻值的變化，主要由載流子運動軌迹改變引起）。

五、與相關術語的區分

磁敏電阻 vs 霍爾元件：前者依賴電阻變化，輸出模拟信號；後者基于霍爾電壓，需外加電源且輸出為電壓信號。
AMR/GMR/TMR：各向異性磁阻（AMR）、巨磁阻（GMR）和隧道磁阻（TMR）代表不同代際的技術，靈敏度逐代提升。

注：部分文獻中"磁動電阻器"可能為"magneto-motive resistor"的直譯，但行業通用術語為Magnetoresistor。

網絡擴展解釋

磁動電阻器（Magnetoresistor）是一種基于磁阻效應的電子元件，其電阻值會隨外部磁場強度變化而改變。以下是詳細解釋：

1. 定義與核心原理

該器件名稱由"磁"（磁場作用）、"動"（動态變化）和"電阻器"（阻礙電流）三部分構成。
核心基于磁阻效應：某些材料的電阻率在磁場作用下會發生顯著變化，例如半導體或特殊合金材料在磁場中載流子運動路徑改變，導緻電阻值升高或降低。

2. 工作機制

當施加外部磁場時，材料内部電子運動軌迹受洛倫茲力影響發生偏轉，增加碰撞概率，從而提升電阻值。
電阻變化量ΔR與磁場強度B的關系可表示為： $$ ΔR = k cdot B^n $$ 其中k為材料系數，n通常為1-2（具體取決于材料類型）。

3. 典型應用

磁場檢測：用于磁力計、位置傳感器等設備
數據存儲：早期硬盤磁頭讀取技術
工業控制：非接觸式開關、轉速測量

注：由于搜索結果信息有限，更詳細的技術參數建議查閱電子元件手冊或專業文獻。