冲渡二极管英文解释翻译、冲渡二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 impact diodes

分词翻译：

冲的英语翻译：

charge; clash; rinse; rush
【机】 buck

渡的英语翻译：

cross a river; ferry; pull through

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

在电子工程领域，“冲渡二极管”并非标准术语，其含义更接近穿通二极管（Punch-Through Diode） 或与击穿现象（Breakdown） 相关。以下是基于专业文献的汉英对照解释：

一、核心概念

1. 穿通效应（Punch-Through Effect）

   当二极管反向偏压极高时，耗尽区扩展至整个半导体区域，导致载流子“穿通”势垒直接导通。此现象常见于高电压器件，如功率二极管。

   英文对照：

   Punch-through occurs when the depletion region spans the entire semiconductor layer, enabling carrier injection without avalanche multiplication .

2. 击穿机制（Breakdown Mechanism）

   “冲渡”可能指雪崩击穿（Avalanche Breakdown） 或齐纳击穿（Zener Breakdown）：

   • 雪崩击穿：高反向电压下载流子碰撞电离引发连锁反应，电流急剧增大。

     $$ I = I_0 cdot e^{(V/V_B)^n} $$

     （(V_B)为击穿电压，(n)为材料系数）

   • 齐纳击穿：强电场直接破坏共价键，多见于高掺杂PN结（击穿电压<5V）。

     英文对照：

     Avalanche breakdown involves carrier multiplication via impact ionization, whereas Zener breakdown results from quantum tunneling .

二、权威文献参考

1. 穿通二极管设计原理

   根据 IEEE 标准术语，穿通二极管需满足：

   $$ W_d geq L $$

   （(W_d)为耗尽区宽度，(L)为器件长度）

   详见：

   • Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (4th ed.), McGraw-Hill, 2012, pp. 318-320 .

2. 击穿特性应用

   齐纳二极管用于稳压电路时，需精确控制掺杂浓度以设定击穿电压：

   $$ V_B propto frac{1}{N_A cdot N_D} $$

   参考：

   • Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), Wiley, 2007, §4.4 .

三、工程应用场景

• 瞬态电压抑制（TVS）：利用雪崩击穿特性吸收浪涌电流（如安森美 TVS 二极管系列 。
• 电压基准源：齐纳二极管提供稳定参考电压（如德州仪器 LM385 芯片 。

术语对照表

注：部分文献中“冲渡”可能是“穿通”或“击穿”的地方性表述，建议优先使用标准术语。

网络扩展解释

当前没有关于“冲渡二极管”这一术语的权威解释或定义。可能的情况包括：

1. 术语拼写错误：如“冲渡”可能是“肖特基”（Schottky）、“雪崩”（Avalanche）或“隧道二极管”（Tunnel Diode）等专业术语的误写。例如，肖特基二极管具有低正向压降特性（）。
2. 非标准用语：该词可能是某些方言或非学术场景中的表达，但未在电子工程领域通用。

关于二极管的标准定义如下（综合多个来源）：

• 基本结构：由两个电极（阳极和阴极）组成，允许电流单向导通（）。
• 功能特性：利用半导体材料的单向导电性实现整流、检波等应用（）。
• 延伸用法：中文网络语境中，有时被比喻为“思维极端化”的代称（）。

建议核实术语准确性，或补充更多上下文以便进一步解答。

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