沖渡二極管英文解釋翻譯、沖渡二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 impact diodes

分詞翻譯：

沖的英語翻譯：

charge; clash; rinse; rush
【機】 buck

渡的英語翻譯：

cross a river; ferry; pull through

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

在電子工程領域，“沖渡二極管”并非标準術語，其含義更接近穿通二極管（Punch-Through Diode） 或與擊穿現象（Breakdown） 相關。以下是基于專業文獻的漢英對照解釋：

一、核心概念

1. 穿通效應（Punch-Through Effect）

   當二極管反向偏壓極高時，耗盡區擴展至整個半導體區域，導緻載流子“穿通”勢壘直接導通。此現象常見于高電壓器件，如功率二極管。

   英文對照：

   Punch-through occurs when the depletion region spans the entire semiconductor layer, enabling carrier injection without avalanche multiplication .

2. 擊穿機制（Breakdown Mechanism）

   “沖渡”可能指雪崩擊穿（Avalanche Breakdown） 或齊納擊穿（Zener Breakdown）：

   • 雪崩擊穿：高反向電壓下載流子碰撞電離引發連鎖反應，電流急劇增大。

     $$ I = I_0 cdot e^{(V/V_B)^n} $$

     （(V_B)為擊穿電壓，(n)為材料系數）

   • 齊納擊穿：強電場直接破壞共價鍵，多見于高摻雜PN結（擊穿電壓<5V）。

     英文對照：

     Avalanche breakdown involves carrier multiplication via impact ionization, whereas Zener breakdown results from quantum tunneling .

二、權威文獻參考

1. 穿通二極管設計原理

   根據 IEEE 标準術語，穿通二極管需滿足：

   $$ W_d geq L $$

   （(W_d)為耗盡區寬度，(L)為器件長度）

   詳見：

   • Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (4th ed.), McGraw-Hill, 2012, pp. 318-320 .

2. 擊穿特性應用

   齊納二極管用于穩壓電路時，需精确控制摻雜濃度以設定擊穿電壓：

   $$ V_B propto frac{1}{N_A cdot N_D} $$

   參考：

   • Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), Wiley, 2007, §4.4 .

三、工程應用場景

• 瞬态電壓抑制（TVS）：利用雪崩擊穿特性吸收浪湧電流（如安森美 TVS 二極管系列 。
• 電壓基準源：齊納二極管提供穩定參考電壓（如德州儀器 LM385 芯片 。

術語對照表

注：部分文獻中“沖渡”可能是“穿通”或“擊穿”的地方性表述，建議優先使用标準術語。

網絡擴展解釋

當前沒有關于“沖渡二極管”這一術語的權威解釋或定義。可能的情況包括：

1. 術語拼寫錯誤：如“沖渡”可能是“肖特基”（Schottky）、“雪崩”（Avalanche）或“隧道二極管”（Tunnel Diode）等專業術語的誤寫。例如，肖特基二極管具有低正向壓降特性（）。
2. 非标準用語：該詞可能是某些方言或非學術場景中的表達，但未在電子工程領域通用。

關于二極管的标準定義如下（綜合多個來源）：

• 基本結構：由兩個電極（陽極和陰極）組成，允許電流單向導通（）。
• 功能特性：利用半導體材料的單向導電性實現整流、檢波等應用（）。
• 延伸用法：中文網絡語境中，有時被比喻為“思維極端化”的代稱（）。

建議核實術語準确性，或補充更多上下文以便進一步解答。

分類

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