
【计】 glass semiconductor memory
glass; putty
【化】 glass
【医】 slass
【计】 semi-conductor memory; semiconductor memory; semiconductor storage
solid state storage
玻璃半导体存储器(Glass Semiconductor Memory)是一种基于非晶态半导体材料的存储技术,其核心原理是通过材料相变实现数据存储。该技术属于非易失性存储器类别,与传统的硅基存储器相比,其结构特性与材料科学特性存在显著差异。
玻璃半导体存储器的核心材料为硫系玻璃(Chalcogenide Glass),例如锗锑碲(GeSbTe)合金。这类材料在外部电场或热激励下可发生晶态(低电阻)与非晶态(高电阻)之间的可逆相变,利用这种电阻差异实现二进制数据的存储与读取。其写入速度可达纳秒级,擦写次数超过102次,适用于高速缓存场景。
根据国际电子电气工程师协会(IEEE)的定义,该类存储器主要分为两类:
该技术被广泛应用于:
玻璃半导体存储概念起源于1968年斯坦福大学Ovshinsky团队对硫系材料电学特性的研究,2008年实现商业化量产。目前其制程节点已推进至10nm以下,单元密度达到128Gb级别(数据源自IEDM会议论文集)。
玻璃半导体存储器是一种非晶态半导体存储器,主要利用硫系玻璃半导体材料(如硫系化合物)制成,通过外界条件改变薄膜结构以实现信息存储。以下是详细解析:
玻璃半导体存储器属于非晶态半导体存储技术,其核心材料是硫系玻璃半导体(如硫、硒、碲的化合物)。这类材料在非晶态(无序结构)和晶态(有序结构)之间可逆转变的特性,使其能够通过电、光、热等外界刺激实现数据的写入、擦除和读取。
根据存储方式的不同,分为两类:
硫系玻璃半导体的非晶态特性使其与传统晶态半导体(如硅基存储器)有显著差异,但也存在写入速度较慢和寿命限制的挑战。如需进一步了解半导体存储器的分类,。
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