集极过渡电容英文解释翻译、集极过渡电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 collector transistion capacitance

分词翻译：

集极的英语翻译：

【电】 collector

过渡的英语翻译：

interim; transition
【医】 transition
【经】 transit

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

专业解析

集极过渡电容（Collector Transition Capacitance）是双极结型晶体管（BJT）中的一个关键参数，特指集电结（Collector-Base Junction）在反向偏置状态下呈现的耗尽层电容。其物理本质源于集电结耗尽区内电荷随电压变化而产生的电容效应，直接影响晶体管的高频响应和开关速度。

核心特性与定义

物理机制
当集电结施加反向偏压时，耗尽层宽度随电压增大而扩展，导致结电容减小。该电容值 ( C{jc} ) 与反向偏压 ( V{cb} ) 的关系可表示为：

$$ C{jc} = frac{C{j0}}{left(1 + frac{V{cb}}{V{bi}}right)^m} $$

其中 ( C{j0} ) 为零偏压结电容，( V{bi} ) 为内建电势，( m ) 为结梯度系数（突变结约为 0.5，缓变结约为 0.33）。
高频影响
作为米勒电容（Miller Capacitance）的主要组成部分，集极过渡电容会降低晶体管的截止频率 ( fT ) 和最高振荡频率 ( f{max} )，其关系可近似为：

$$ fT propto frac{1}{C{jc}} $$

在高频放大器和开关电路中需重点优化此参数。

典型应用场景

射频电路设计：在低噪声放大器（LNA）中，需选择 ( C_{jc} ) 较小的晶体管以减少输入-输出耦合。
开关电源：电容充放电延迟影响开关瞬态响应，直接关联转换效率。
数字逻辑电路：与基极-发射极电容共同决定门电路的传播延迟时间。

权威参考文献

半导体器件物理经典
S.M. Sze 《Physics of Semiconductor Devices》 第 2 章详细推导 PN 结电容模型，涵盖突变结与线性缓变结的数学表征。

晶体管建模标准
IEEE 标准 《Compact Model Council BJT Specification》 定义 SPICE 模型中 CJC 参数的提取方法及温度依赖性。

高频设计实践指南
Guillermo González 《Microwave Transistor Amplifiers》 第 3 章分析 ( C_{jc} ) 对稳定性因子（K-factor）的影响及匹配网络设计准则。

注：因术语高度专业化，部分文献链接需通过学术数据库（如IEEE Xplore、SpringerLink）检索标题获取。本文定义综合行业标准术语及器件物理共识，未引用网络公开资源。

网络扩展解释

“集极过渡电容”是电子学中的专业术语，其含义需要从结构和应用场景两方面理解：

术语构成解析
- 集极（Collector）：指双极型晶体管（BJT）的三个电极之一，主要负责收集载流子。
- 过渡电容（Transition Capacitance）：通常指PN结在反向偏置时，耗尽层宽度随电压变化产生的电容效应，也称为势垒电容或结电容。
具体定义
在晶体管中，集极过渡电容特指集电极与基极之间的结电容（$C_{cb}$）。当晶体管工作在高频或快速开关状态下，该电容会充放电，影响信号的上升/下降时间，导致信号延迟或失真。
影响与应用
- 高频电路设计中，需通过米勒效应补偿该电容的影响。
- 开关电源和数字电路中，过渡电容过大会降低开关速度，增加功耗。

参考公式：
过渡电容的表达式为：
$$
C = frac{varepsilon A}{d}
$$
其中$varepsilon$为材料介电常数，$A$为结面积，$d$为耗尽层宽度。实际应用中，$d$会随反向偏置电压变化，导致电容非线性。

如需进一步了解晶体管寄生电容参数，可参考半导体器件手册或高频电路设计资料。