集極過渡電容英文解釋翻譯、集極過渡電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 collector transistion capacitance

分詞翻譯：

集極的英語翻譯：

【電】 collector

過渡的英語翻譯：

interim; transition
【醫】 transition
【經】 transit

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

集極過渡電容（Collector Transition Capacitance）是雙極結型晶體管（BJT）中的一個關鍵參數，特指集電結（Collector-Base Junction）在反向偏置狀态下呈現的耗盡層電容。其物理本質源于集電結耗盡區内電荷隨電壓變化而産生的電容效應，直接影響晶體管的高頻響應和開關速度。

核心特性與定義

物理機制
當集電結施加反向偏壓時，耗盡層寬度隨電壓增大而擴展，導緻結電容減小。該電容值 ( C{jc} ) 與反向偏壓 ( V{cb} ) 的關系可表示為：

$$ C{jc} = frac{C{j0}}{left(1 + frac{V{cb}}{V{bi}}right)^m} $$

其中 ( C{j0} ) 為零偏壓結電容，( V{bi} ) 為内建電勢，( m ) 為結梯度系數（突變結約為 0.5，緩變結約為 0.33）。
高頻影響
作為米勒電容（Miller Capacitance）的主要組成部分，集極過渡電容會降低晶體管的截止頻率 ( fT ) 和最高振蕩頻率 ( f{max} )，其關系可近似為：

$$ fT propto frac{1}{C{jc}} $$

在高頻放大器和開關電路中需重點優化此參數。

典型應用場景

射頻電路設計：在低噪聲放大器（LNA）中，需選擇 ( C_{jc} ) 較小的晶體管以減少輸入-輸出耦合。
開關電源：電容充放電延遲影響開關瞬态響應，直接關聯轉換效率。
數字邏輯電路：與基極-發射極電容共同決定門電路的傳播延遲時間。

權威參考文獻

半導體器件物理經典
S.M. Sze 《Physics of Semiconductor Devices》 第 2 章詳細推導 PN 結電容模型，涵蓋突變結與線性緩變結的數學表征。

晶體管建模标準
IEEE 标準 《Compact Model Council BJT Specification》 定義 SPICE 模型中 CJC 參數的提取方法及溫度依賴性。

高頻設計實踐指南
Guillermo González 《Microwave Transistor Amplifiers》 第 3 章分析 ( C_{jc} ) 對穩定性因子（K-factor）的影響及匹配網絡設計準則。

注：因術語高度專業化，部分文獻鍊接需通過學術數據庫（如IEEE Xplore、SpringerLink）檢索标題獲取。本文定義綜合行業标準術語及器件物理共識，未引用網絡公開資源。

網絡擴展解釋

“集極過渡電容”是電子學中的專業術語，其含義需要從結構和應用場景兩方面理解：

術語構成解析
- 集極（Collector）：指雙極型晶體管（BJT）的三個電極之一，主要負責收集載流子。
- 過渡電容（Transition Capacitance）：通常指PN結在反向偏置時，耗盡層寬度隨電壓變化産生的電容效應，也稱為勢壘電容或結電容。
具體定義
在晶體管中，集極過渡電容特指集電極與基極之間的結電容（$C_{cb}$）。當晶體管工作在高頻或快速開關狀态下，該電容會充放電，影響信號的上升/下降時間，導緻信號延遲或失真。
影響與應用
- 高頻電路設計中，需通過米勒效應補償該電容的影響。
- 開關電源和數字電路中，過渡電容過大會降低開關速度，增加功耗。

參考公式：
過渡電容的表達式為：
$$
C = frac{varepsilon A}{d}
$$
其中$varepsilon$為材料介電常數，$A$為結面積，$d$為耗盡層寬度。實際應用中，$d$會隨反向偏置電壓變化，導緻電容非線性。

如需進一步了解晶體管寄生電容參數，可參考半導體器件手冊或高頻電路設計資料。