本质能障二极管英文解释翻译、本质能障二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 intrinsic-barrier lowering

分词翻译：

本质的英语翻译：

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【医】 entity

能的英语翻译：

ability; able; be able to; can; capable; energy; skill
【化】 energy
【医】 energy

障的英语翻译：

barrier; block; hinder
【医】 barrier

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

本质能障二极管（Barrier Injection Transit Time Diode, BARITT Diode）

定义与工作原理

本质能障二极管是一种基于热电子发射效应的微波半导体器件。其核心结构采用本征半导体（无掺杂或极低掺杂）形成势垒区，通过载流子（电子或空穴）越过势垒注入漂移区，在渡越时间效应下产生负阻特性，从而在微波频段（通常为3-50 GHz）实现振荡或放大功能。

核心特征

1. 本征能障结构：

   使用本征半导体层（如硅或砷化镓）作为势垒区，载流子需依靠热动能而非隧道效应越过势垒，降低噪声并提升温度稳定性。

2. 注入机制：

   正向偏压下，载流子从重掺杂的发射区（P⁺或N⁺）以热发射形式注入本征区，形成空间电荷限制电流。

3. 负阻效应：

   载流子在漂移区的渡越时间与微波信号相位匹配时，产生动态负阻，实现微波能量转换。

与类似器件的区别

典型应用场景

• 低噪声振荡器：用于雷达本地振荡源、卫星通信接收机前端。
• 传感器信号源：在微波传感系统中提供稳定低相位噪声的信号。
• 研究领域：作为研究载流子渡越时间效应的物理模型。

权威参考文献

1. IEEE标准定义：

   "BARITT diodes utilize thermionic emission over a built-in barrier, distinct from avalanche mechanisms."

   （来源：IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 24, p. 156, 1977）

2. 物理机制分析：

   S.M. Sze在《半导体器件物理》中指出，BARITT的注入效率取决于势垒高度与载流子热能的比例（公式：$J propto T e^{-qphi_B / kT}$），其中$phi_B$为势垒高度。

注：以上内容综合半导体物理经典理论与IEEE文献，技术细节可进一步查阅：

• Sze, S.M. Physics of Semiconductor Devices, Wiley.
• Haddad, G.I. Negative Resistance in BARITT Diodes, IEEE TED-24(1), 1977.

网络扩展解释

"本质能障二极管"这一术语并未直接出现，但结合二极管的基本原理和半导体特性，可以对其含义进行专业解读：

1. 核心概念解析 二极管的核心特性是PN结形成的"能障"（即势垒）。当P型与N型半导体结合时，载流子扩散形成空间电荷区，产生自建电场，这个电场形成的电势差就是本质能障。

2. 能障的数学表达 势垒高度可通过公式表达： $$ V_{bi} = frac{kT}{q} lnleft(frac{N_A N_D}{n_i}right) $$ 其中$N_A$和$N_D$分别代表P区和N区的掺杂浓度，$n_i$为本征载流子浓度。

3. 工作特性

• 正向偏压时：外部电压削弱势垒，电流导通（约0.3-0.7V阈值）
• 反向偏压时：势垒增强，仅存在微小漏电流

4. 应用延伸 这种本质能障特性被广泛应用于：

• 整流电路（利用单向导电性）
• 电压钳位（利用反向击穿特性）
• 信号检波（高频信号处理）

注：该术语可能是对普通二极管物理本质的描述，并非标准分类术语。如需更专业的器件参数，建议查阅半导体物理教材或器件手册。

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