寄生二极管英文解释翻译、寄生二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 parasitic diode

【医】 parasitism; parasitize; ramuli visci seu loranthi

diode
【化】 diode

寄生二极管（Parasitic Diode）是电力电子器件中常见的非设计性结构元件，在金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件制造过程中自然形成。其英文对应术语包含"Body Diode"或"Intrinsic Diode"，不同技术文献可能存在表述差异。

从器件结构分析，寄生二极管产生于MOSFET的源极-漏极PN结之间。当MOSFET采用垂直导电结构时，掺杂工艺形成的N+/P-外延层交界处会构成反向并联的二极管结构，该现象已被IEEE电力电子协会收录为半导体器件的固有特性。

该二极管在电路应用中具有双重影响：

正向导通特性：在MOSFET关断状态下为反向电流提供续流通路，防止感性负载引发的电压尖峰（参考《Power Electronics: Converters, Applications, and Design》第三版）
反向恢复特性：影响开关器件的动态性能，可能造成开关损耗增加（依据德州仪器应用手册AN-1001）

在工业标准JESD77B中明确要求，器件数据手册必须标注寄生二极管的反向恢复时间（trr）和正向压降（VF）参数。工程师进行电路设计时，需特别注意其在同步整流、电机驱动等场景中的热耗散问题。

寄生二极管是MOS管等半导体器件中因生产工艺或结构特性自然形成的二极管，其存在并非人为设计，但对器件功能有重要影响。以下是综合解释：

工艺结构导致：大功率MOS管因漏极从硅片底部引出，在源极与漏极之间自然形成PN结，构成二极管。而小功率MOS管（如集成电路中的平面结构）因漏极与源极同方向引出，通常不存在该二极管。
材料特性：在碳化硅（SiC）MOSFET中，寄生二极管（体二极管）由不同掺杂半导体层堆叠形成，属于器件固有结构。

在电路设计中需考虑寄生二极管的导通压降和反向恢复特性，避免因漏电流或开关损耗影响系统效率。

通过综合生产工艺、材料特性和电路需求，寄生二极管既是半导体器件的“副产品”，也是保障电路可靠性的关键要素。