寄生二極管英文解釋翻譯、寄生二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 parasitic diode

分詞翻譯：

寄生的英語翻譯：

【醫】 parasitism; parasitize; ramuli visci seu loranthi

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

寄生二極管（Parasitic Diode）是電力電子器件中常見的非設計性結構元件，在金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣栅雙極晶體管（IGBT）等器件制造過程中自然形成。其英文對應術語包含"Body Diode"或"Intrinsic Diode"，不同技術文獻可能存在表述差異。

從器件結構分析，寄生二極管産生于MOSFET的源極-漏極PN結之間。當MOSFET采用垂直導電結構時，摻雜工藝形成的N+/P-外延層交界處會構成反向并聯的二極管結構，該現象已被IEEE電力電子協會收錄為半導體器件的固有特性。

該二極管在電路應用中具有雙重影響：

1. 正向導通特性：在MOSFET關斷狀态下為反向電流提供續流通路，防止感性負載引發的電壓尖峰（參考《Power Electronics: Converters, Applications, and Design》第三版）
2. 反向恢複特性：影響開關器件的動态性能，可能造成開關損耗增加（依據德州儀器應用手冊AN-1001）

在工業标準JESD77B中明确要求，器件數據手冊必須标注寄生二極管的反向恢複時間（trr）和正向壓降（VF）參數。工程師進行電路設計時，需特别注意其在同步整流、電機驅動等場景中的熱耗散問題。

網絡擴展解釋

寄生二極管是MOS管等半導體器件中因生産工藝或結構特性自然形成的二極管，其存在并非人為設計，但對器件功能有重要影響。以下是綜合解釋：

一、形成原因

1. 工藝結構導緻：大功率MOS管因漏極從矽片底部引出，在源極與漏極之間自然形成PN結，構成二極管。而小功率MOS管（如集成電路中的平面結構）因漏極與源極同方向引出，通常不存在該二極管。
2. 材料特性：在碳化矽（SiC）MOSFET中，寄生二極管（體二極管）由不同摻雜半導體層堆疊形成，屬于器件固有結構。

二、核心功能

1. 反向電流保護：當電路出現瞬間反向電流時，寄生二極管提供洩放路徑，避免MOS管D-S極被擊穿。
2. 續流作用：在開關電路中，可為感性負載提供續流通路，防止電壓尖峰。

三、特性與應用

• 高頻特性：寄生二極管反向恢複時間（Trr）較短，類似快恢複二極管，適用于高頻場景。
• 類型差異：部分MOS管帶有"DZ"标識的額外二極管，用于增強特定保護功能。

四、注意事項

在電路設計中需考慮寄生二極管的導通壓降和反向恢複特性，避免因漏電流或開關損耗影響系統效率。

通過綜合生産工藝、材料特性和電路需求，寄生二極管既是半導體器件的“副産品”，也是保障電路可靠性的關鍵要素。

分類

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