禁能隙英文解释翻译、禁能隙的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 forbidden energy gap

分词翻译：

禁的英语翻译：

ban; bear; imprison; prohibit; restain oneself; stand; taboo

能隙的英语翻译：

【化】 energy gap

专业解析

禁能隙（Band Gap）是固体物理学中的核心概念，指材料中电子允许存在的能量范围与禁止存在的能量范围之间的间隔。其英文对应术语"band gap"源自能带理论，描述晶体材料导带与价带之间的能量差，单位为电子伏特（eV）。

物理意义与分类

根据禁能隙宽度，材料可分为三类：

1. 导体（如铜）：禁能隙接近0 eV，电子可自由移动
2. 半导体（如硅）：禁能隙0.1-4 eV，电子跃迁需要外界能量激发
3. 绝缘体（如金刚石）：禁能隙＞4 eV，电子难以跨越能隙

工程应用

半导体器件的核心参数由其禁能隙决定。例如硅的1.12 eV禁能隙（300K），使其成为晶体管和太阳能电池的理想材料。窄禁能隙材料（如锗）适用于红外探测器，宽禁能隙材料（如氮化镓）则用于高功率电子器件。

测量与调控

实验测定主要采用光吸收谱法，通过吸收边确定能隙值。现代技术通过掺杂（如硼掺杂硅）或异质结构（如GaAs/AlGaAs）可实现能隙的精确调控，这种调控能力是光电子器件微型化的基础。

网络扩展解释

“禁能隙”这一表述可能存在用词偏差，正确的物理学术语应为“禁带宽度”或“能隙”（Band Gap），指的是半导体或绝缘体中导带底与价带顶之间的能量差。以下是详细解释：

1.基本定义

禁带宽度是指导带最低点（导带底）和价带最高点（价带顶）之间的能量差值。这一能量差决定了材料的导电性质：

• 半导体：禁带宽度较小（如硅约1.1eV），电子可通过热激发跨越能隙；
• 绝缘体：禁带宽度较大（如金刚石约5.5eV），电子难以跃迁；
• 导体：禁带宽度趋近于零或能带重叠，电子自由移动。

2.物理意义

• 禁带宽度反映了材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量。当外界提供足够能量（如光照、加热）时，电子可跨越能隙，形成导电性。
• 在半导体器件中，禁带宽度是设计光电、电子元件（如太阳能电池、LED）的关键参数。

3.相关术语辨析

• 能隙（Energy Gap）：与禁带宽度同义，均指能量差值。
• 带隙（Band Gap）：英文直译，常见于中文文献，与禁带宽度可互换使用。

4.应用示例

• 窄禁带材料（如锗、砷化镓）：常用于高频、低功耗器件；
• 宽禁带材料（如氮化镓、碳化硅）：适用于高温、高功率场景。

附：常见材料的禁带宽度（单位：eV）

提示：若需更专业的文献或数据，可参考半导体物理教材或学术数据库（如、9的扩展内容）。

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