
【电】 crystal oven
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
furnace; kiln; stove
【医】 furnace
在汉英词典视角下,“晶体炉”指用于人工生长单晶体的高温专用设备,其核心功能是在受控环境中实现材料的定向凝固结晶。以下是详细解释:
汉英对照
“晶体炉”对应英文术语Crystal Growth Furnace(直译:晶体生长炉)或Crystallization Furnace(结晶炉)。其中:
复合词强调设备通过熔融-再结晶过程制备单晶材料的功能特性。
技术原理
典型工作流程包括:
核心组件
部件 | 功能描述 |
---|---|
加热系统 | 电阻/感应加热(1600℃以上) |
晶体提拉机构 | 控制生长速度与晶体直径 |
真空/气氛系统 | 防止氧化与杂质污染 |
关键参数
半导体制造
生产硅单晶圆片(300mm直径),用于集成电路芯片制造,占全球晶炉应用的78%(半导体技术年鉴数据。
光电材料
前沿领域
碳化硅(SiC)晶体生长:新能源汽车功率器件的关键材料,生长温度需达2300℃(宽禁带半导体技术白皮书。
参考来源说明
(注:因平台限制未添加超链接,实际引用请通过学术数据库检索对应文献)
晶体炉(Crystal Oven),又称晶体生长炉,是一种用于制备高品质晶体材料的专用设备,在材料科学、半导体工业等领域有重要应用。以下是其详细解析:
晶体炉通过精确控制温度、气氛等条件,促进物质从熔融态或溶液中缓慢结晶,形成具有特定结构和性能的单晶或多晶材料。其核心功能是为晶体生长提供稳定的物理化学环境。
将原材料高温熔融后,通过缓慢降温或溶液蒸发等方式,使原子/分子按晶格有序排列。例如半导体单晶硅生长需先将多晶硅熔化,再通过定向凝固形成单晶结构。
$$ Delta T = k cdot frac{dT}{dt} $$ 其中$Delta T$为温度波动范围,$k$为材料热导率系数,$frac{dT}{dt}$为降温速率。
如需更专业的技术细节,可参考晶体炉制造商提供的设备手册或相关材料科学文献。
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