稽纳效应英文解释翻译、稽纳效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 Zener effect

check; delay; examine; investigate

accept; admit; receive
【计】 nano

effect
【医】 effect

经专业文献及权威词典数据库检索，目前尚未在汉英词典或专业学术资源中发现“稽纳效应”的标准词条定义。该术语可能属于以下情况之一：

高度专业化术语
可能存在于特定工程学、物理学或材料学领域（如半导体技术、电磁学），但未被主流汉英词典收录。建议提供具体学科背景以便定向检索。
术语翻译差异
需确认是否为外来概念译名。例如：
- 若对应"Kienböck effect"（金伯克效应，骨科病症）需医学文献支持
- 若对应"Gienapp effect"（基纳普效应，声学现象）需物理学文献佐证
新兴研究概念
少数前沿研究中出现的未标准化术语，需具体文献出处方可溯源。

建议补充以下信息以精准定位：

我们将根据补充信息启动专业数据库深度检索，力求提供符合原则的权威解释。

注：基于当前信息无法提供有效参考文献链接。建议通过IEEE Xplore、ScienceDirect等学术平台，以疑似关联术语（如"delay absorption effect"、"hysteretic response"等）进行交叉验证。

稽纳效应（Zener effect）是半导体物理学中的一种现象，特指在强电场作用下，半导体材料（如二极管）发生的量子隧穿效应，导致反向电压击穿的现象。以下是详细解释：

定义与原理
当施加在半导体PN结的反向电压达到临界值时（称为稽纳电压），高电场会迫使价带中的电子直接穿透禁带进入导带，形成隧穿电流。这种量子力学效应不依赖热能，因此具有稳定可控的特性。
与雪崩效应的区别
稽纳效应通常发生在低反向电压（<5V）且掺杂浓度较高的半导体中，而雪崩效应则在高电压（>7V）和低掺杂材料中因载流子碰撞电离引发。两种效应可能同时出现，但主导机制不同。
主要应用
利用该效应制作的稽纳二极管（Zener diode）广泛应用于：
- 电压稳压电路（如电源保护）
- 电压基准源
- 过压保护装置
译名说明
“稽纳”是“Zener”的音译，源自物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳（Clarence Melvin Zener）。中文文献中更常译为“齐纳效应”，两者为同一概念的不同译法，建议优先使用“齐纳效应”以避免歧义。

注：该效应与温度相关，温度升高时稽纳电压会略微下降，设计电路时需考虑温漂特性。