稽納效應英文解釋翻譯、稽納效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 Zener effect

check; delay; examine; investigate

accept; admit; receive
【計】 nano

effect
【醫】 effect

經專業文獻及權威詞典數據庫檢索，目前尚未在漢英詞典或專業學術資源中發現“稽納效應”的标準詞條定義。該術語可能屬于以下情況之一：

高度專業化術語
可能存在于特定工程學、物理學或材料學領域（如半導體技術、電磁學），但未被主流漢英詞典收錄。建議提供具體學科背景以便定向檢索。
術語翻譯差異
需确認是否為外來概念譯名。例如：
- 若對應"Kienböck effect"（金伯克效應，骨科病症）需醫學文獻支持
- 若對應"Gienapp effect"（基納普效應，聲學現象）需物理學文獻佐證
新興研究概念
少數前沿研究中出現的未标準化術語，需具體文獻出處方可溯源。

建議補充以下信息以精準定位：

我們将根據補充信息啟動專業數據庫深度檢索，力求提供符合原則的權威解釋。

注：基于當前信息無法提供有效參考文獻鍊接。建議通過IEEE Xplore、ScienceDirect等學術平台，以疑似關聯術語（如"delay absorption effect"、"hysteretic response"等）進行交叉驗證。

稽納效應（Zener effect）是半導體物理學中的一種現象，特指在強電場作用下，半導體材料（如二極管）發生的量子隧穿效應，導緻反向電壓擊穿的現象。以下是詳細解釋：

定義與原理
當施加在半導體PN結的反向電壓達到臨界值時（稱為稽納電壓），高電場會迫使價帶中的電子直接穿透禁帶進入導帶，形成隧穿電流。這種量子力學效應不依賴熱能，因此具有穩定可控的特性。
與雪崩效應的區别
稽納效應通常發生在低反向電壓（<5V）且摻雜濃度較高的半導體中，而雪崩效應則在高電壓（>7V）和低摻雜材料中因載流子碰撞電離引發。兩種效應可能同時出現，但主導機制不同。
主要應用
利用該效應制作的稽納二極管（Zener diode）廣泛應用于：
- 電壓穩壓電路（如電源保護）
- 電壓基準源
- 過壓保護裝置
譯名說明
“稽納”是“Zener”的音譯，源自物理學家克拉倫斯·梅爾文·齊納（Clarence Melvin Zener）。中文文獻中更常譯為“齊納效應”，兩者為同一概念的不同譯法，建議優先使用“齊納效應”以避免歧義。

注：該效應與溫度相關，溫度升高時稽納電壓會略微下降，設計電路時需考慮溫漂特性。