位读出线英文解释翻译、位读出线的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 sense digit line

分词翻译：

位的英语翻译：

digit; location; place; potential; throne
【计】 D
【化】 bit
【医】 P; position
【经】 bit

读出线的英语翻译：

【计】 sense line; sense wire

专业解析

在电子工程与计算机硬件领域，“位读出线”（Bit Read Line）是数字系统中用于传输单个二进制位（bit）读取信号的关键路径。其核心功能是连接存储单元与控制电路，将存储介质中特定位置的电荷状态转换为可识别的逻辑电平（0或1）。

从技术实现角度，位读出线通常集成在动态随机存取存储器（DRAM）或闪存（Flash Memory）等存储器件中。当执行读取操作时，字线（Word Line）激活目标存储单元，位线（Bit Line）与参考电压比较后，通过读出放大器将微小电流差转换为数字信号。该过程涉及时序控制、噪声抑制等关键技术指标，直接影响存储器的访问速度和可靠性。

典型应用场景包括：

DRAM芯片中电容电荷的周期性刷新读取
NAND闪存的页读取架构
SRAM单元中的差分信号检测电路

相关术语可参考IEEE标准1800-2017《SystemVerilog语言参考手册》中关于数字接口的时序建模规范，以及《计算机组成与设计：硬件/软件接口》（David A. Patterson, John L. Hennessy著）第5章对存储器层次结构的解析。

网络扩展解释

“位读出线”是一个技术领域的术语，常见于计算机硬件或电子工程中，其含义可从以下方面解析：

1.核心定义

位（Bit）：指二进制数字中的最小单位（0或1），代表数据的基本存储单元。
读出线：在电路设计中，指用于读取存储单元数据的物理线路。例如内存模块中，通过位线（bit line）检测存储单元的电荷状态以判断数据值。

2.应用场景

常见于存储器件（如DRAM、SRAM）中，每条位读出线对应一个存储单元列的读取通道。当需要读取数据时，位线将存储单元的电信号传输到读取放大器进行解析。

3.技术背景

在数字电路中，“位”的位置（如个位、百位）可能影响线路设计（参考）。而“读出线”的功能与电路布局和信号传输效率密切相关。

4.英文对应

英文翻译为“bit read line”，直接体现了其读取二进制位数据的功能。

“位读出线”是用于读取二进制数据位的物理线路，属于电子工程和计算机硬件的专业术语，常见于存储器件和数字电路设计中。如需更深入的技术参数，建议参考电子工程手册或芯片设计资料。