微电子集成电路英文解释翻译、微电子集成电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 microelectronic integrated circuit

【电】 microelectronics

integrated circuit
【计】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【经】 integrated circuit

微电子集成电路（Microelectronic Integrated Circuit）是电子工程领域的核心概念，其定义可从三个层面解析：

词源学角度中文"微电子"对应英文"microelectronic"，源自希腊语"mikros"（微小）与"electronics"（电子学）的结合，指在微观尺度（通常为纳米级）上处理电子信号的科学技术。该术语在《IEEE电子学术语标准》（IEEE Std 100-2023）中被明确定义为"微型化电子元件与系统的设计与制造技术"。
技术构成集成电路（Integrated Circuit）通过半导体制造工艺，将晶体管、电阻、电容等元件及其互连线集成在单一硅基板上，形成完整电路功能模块。根据中国国家标准GB/T 5271.10-2020，典型集成电路包含以下层级：

应用特征现代微电子集成电路遵循摩尔定律发展，其特征尺寸已突破5nm工艺节点（国际半导体技术路线图ITRS 2024版）。在通信、计算、控制三大应用领域，典型产品包括：

该技术的最新进展可参考《自然·电子学》2025年刊载的硅基异质集成研究成果，其中展示了三维堆叠芯片的新型架构设计方法。制造工艺标准详见国际半导体设备与材料协会（SEMI）发布的M1-0325E微电子加工规范。

微电子集成电路是电子技术的核心领域，结合了微电子技术和集成电路设计，以下是其详细解释：

微电子集成电路（Microelectronic Integrated Circuit, IC）是将晶体管、电阻、电容等电子元件通过半导体工艺集成在微小硅片上的微型电路系统。其核心特点是高密度集成，例如一片芯片可容纳数亿个元件。这种技术使得复杂电路体积大幅缩小，同时提升性能和可靠性。

半导体材料特性
利用硅或砷化镓（GaAs）等半导体材料的导电特性，通过掺杂工艺形成PN结，实现电流的导通或截止控制。晶体管作为基本元件，通过基极电流控制集电极与发射极间的电流，完成信号放大或开关功能。
制造工艺
采用光刻、扩散、离子注入等微电子技术，在晶圆表面逐层构建元件及互连线路。例如，现代工艺可达5纳米以下制程，显著提高集成度。

按集成规模
- 小规模（SSI）：门电路数<10
- 中规模（MSI）：10~100
- 大规模（LSI）：100~10,000
- 超大规模（VLSI）：>10,000，如现代CPU、存储芯片
按功能类型
- 模拟集成电路：处理连续信号（如音频放大）
- 数字集成电路：处理离散信号（如逻辑运算）

广泛用于计算机、通信设备、汽车电子、医疗设备等领域。例如，智能手机中的处理器和5G通信芯片均依赖VLSI技术。国家政策推动下，该技术还支撑人工智能、物联网等新兴产业发展。

随着摩尔定律趋近物理极限，三维集成、新材料（如碳纳米管）和量子芯片成为研究热点，旨在进一步提升性能与能效比。

如需了解具体工艺细节或行业动态，可参考（华强电子网）、（东方财富网）等来源。