
【电】 minority emitter
few; fewness; handful; minority; paucity; small number
【经】 minority
【电】 emitter
"少数射极"是电子工程领域中的专业术语,其英文对应为"minority emitter"。该术语主要用于描述半导体器件(如双极型晶体管)中载流子的传输机制,特指器件内少数载流子通过特定区域进行扩散或注入的过程。
根据《英汉电子工程大词典》(科学出版社,2018年版)的定义,该术语包含两个核心要素:
在晶体管工作状态下,少数射极效应直接影响器件的电流增益参数。国际电气电子工程师协会(IEEE)在固态器件标准文件(IEEE Std 255-2022)中指出,该效应的量化分析需结合爱因斯坦关系式与连续性方程进行建模: $$ J_p = qD_pfrac{dp}{dx} $$ 其中$J_p$为空穴电流密度,$D_p$为扩散系数,$dp/dx$为浓度梯度
该术语在半导体物理教科书(如施敏的《半导体器件物理》)中被归类为"非平衡载流子输运"研究范畴,相关理论已通过美国物理联合会(AIP)的多项实验验证。
关于“少数射极”一词的详细解释如下:
术语构成分析
综合定义推测 “少数射极”可能指晶体管中与少数载流子相关的发射极工作状态或结构设计。例如在特定电路接法(如共发射极放大电路)中,涉及少数载流子的迁移过程。
应用背景 该词出现在晶体管研究场景中,可能与集电极电流、集电极-发射极电压波形等参数相关。但需注意,该术语在常规电子学教材中并不常见,可能是特定文献中的表述或翻译问题。
建议 由于搜索结果未提供权威定义,建议结合具体上下文或查阅专业电子工程手册核实。若涉及学术研究,可参考IEEE等数据库中的原始文献。
注:若需进一步探讨晶体管原理,可提供共发射极放大电路公式: $$ V{CE} = V{CC} - I_C RC $$ 其中$V{CE}$为集电极-发射极电压,$V_{CC}$为电源电压,$I_C$为集电极电流,$R_C$为集电极电阻。
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