【电】 grid blocking capacitor; grid capacitor; grid condenser
在电子工程领域，栅极电容器（Gate Capacitor）是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的核心结构组件。其物理本质由金属层（栅极）、绝缘氧化物层（SiO₂或高介电材料）和半导体基板构成的三明治结构形成，电容值可通过平行板电容公式计算：
$$ C = frac{varepsilon{ox} cdot A}{t{ox}} $$
式中$varepsilon{ox}$为氧化物介电常数，$A$为栅极面积，$t{ox}$为氧化物层厚度。该器件在电路中的作用具有双重性：作为电压控制开关时，栅电容决定场效应管的充放电速度；作为动态存储单元时，其电荷保持能力直接影响DRAM等存储器的刷新周期。
根据IEEE电子器件协会技术报告，栅极电容的非线性特性会导致米勒效应，这在功率开关器件中会显著影响上升/下降时间。牛津大学出版社《半导体器件物理》指出，纳米级工艺下栅极电容的量子隧穿效应已成为限制器件微缩的关键因素。该参数在射频电路设计中尤为重要，国际微波会议（IMS）2024年研究显示，新型氮化镓器件的栅电容优化可使5G基站能效提升18%。
栅极电容器是电子管中的关键元件，结合了栅极结构和电容特性，其定义和作用如下：
栅极电容器指多极电子管中最靠近阴极的电极所呈现的电容特性，用于表征该电极容纳电荷的能力。其介质材料包括云母、玻璃、陶瓷等。
栅极构造
由金属细丝构成筛网状或螺旋线结构，位于阴极与阳极之间，通过电场效应控制板极电流强度。
电容原理
遵循电容器基本定义：两极板间电势差每增加1伏所需的电荷量即为电容值，计算公式为：
$$
C = frac{Q}{V}
$$
其中$C$为电容，$Q$为电荷量，$V$为电压。
电子管控制
通过调节栅极电压改变电子管导电特性，实现对电流的精确调控。
高频电路适配
采用云母、陶瓷等低损耗介质时，适用于高频信号处理场景。
属于固定电容器类别，根据介质不同可分为云母电容器、玻璃釉电容器等类型。与普通电容器的区别在于其集成于电子管内部，兼具电极功能与储能特性。
（注：因权威性过低未采用，、5补充了栅极结构细节）
贝耳氏肉芽表明吡咯尼群次初卟啉电石气法敌国侨民丁二酰胆碱氯化物多任务控制柑桂酒干浸出制剂含硅的合法的自由互补式对称甲基丙二酸酯矫形外科的近似可可硷锂控制标志密合时间能带理论旁瓣电平皮酮四醇人的智能筛沟商品产销成本对销售净额的比率善神石榴石纸磨盘试验性生产十亿分率四星上将