布洛赫畴壁英文解释翻译、布洛赫畴壁的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 Bloch wall

分词翻译：

布的英语翻译：

cloth; fabric
【建】 cloth

赫的英语翻译：

conspicuous; grand; hertz
【化】 hertz
【医】 hertz

畴壁的英语翻译：

【计】 domain wall

专业解析

布洛赫畴壁（Bloch domain wall）是磁性材料中相邻磁畴之间的过渡区域，其名称源于瑞士物理学家费利克斯·布洛赫（Felix Bloch）提出的理论模型。该畴壁的特点是磁矩在畴壁平面内以螺旋方式连续旋转，形成平滑的磁化方向过渡，这种旋转模式使布洛赫畴壁的能量低于其他类型畴壁（如奈尔畴壁）。

从结构上看，布洛赫畴壁的厚度通常为纳米量级，其宽度与材料交换能和各向异性能的比值相关，可通过以下公式估算： $$ delta = pi sqrt{frac{A}{K}} $$ 其中，$A$为交换刚度常数，$K$为磁晶各向异性常数。这类畴壁常见于体材料或厚膜中，因其避免了表面磁极的产生，从而降低了退磁场能。

在应用层面，布洛赫畴壁的动态行为对磁存储器件的读写机制和自旋电子学器件的设计具有重要意义。例如，在赛道存储器（Racetrack Memory）中，畴壁的精准操控直接影响数据存储密度和传输效率。

网络扩展解释

布洛赫畴壁（Bloch wall）是铁磁材料中相邻磁畴之间的过渡区域，其磁矩方向通过逐渐旋转实现能量优化。以下是详细解释：

1.基本定义与发现背景

布洛赫畴壁由物理学家费利克斯·布洛赫于1932年提出。它存在于大块铁磁晶体中，通过磁矩的连续转向连接不同磁化方向的磁畴，从而降低系统的交换能和退磁能。

2.磁矩排列与结构特点

平行旋转机制：畴壁内的磁矩始终保持与壁平面平行，避免在表面形成自由磁极，从而减少退磁场能量。
厚度与能量平衡：畴壁厚度（δ）由交换能和各向异性能的平衡决定。例如，钴单晶的畴壁厚度公式为： $$ δ = frac{pi sqrt{A/K}}{1} $$ 其中，A为交换常数，K为磁晶各向异性常数。

3.能量优化机制

交换能降低：磁矩的逐步转向减少了相邻原子间的交换能增量。例如，若磁矩在n个原子层内完成180°转向，交换能增量与n成反比。
各向异性能影响：磁矩偏离易磁化轴会增加各向异性能，但通过调整畴壁厚度可实现总能量最小化。

4.分类与应用

按磁畴夹角分类：如180°壁、90°壁等，不同角度对应不同的磁矩转向模式。
技术意义：布洛赫壁的结构特性对磁存储材料和自旋电子学器件的设计有重要影响，例如磁畴壁存储器（DWMRAM）的开发。

如需进一步了解具体参数或应用案例，可参考原始研究内容。