取代缺陷英文解释翻译、取代缺陷的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 substitutional defect

replace; substitute; permute; supersede; supersession; substituent; superlant
【化】 permutation; substitution
【医】 substitution

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective

取代缺陷（Substitutional Defect）是材料科学中晶体缺陷的一种核心类型。它指在原本规则的晶体晶格结构中，某个原子或离子被另一种不同种类的原子或离子替代占据其位置的现象。这种外来原子称为取代原子或杂质原子。

核心特征与机制：

位置替代性：外来原子并非挤在间隙位置，而是直接占据了晶格点阵中原本应由基质原子占据的结点位置。
尺寸与价态影响：取代能否发生及缺陷的稳定性，很大程度上取决于外来原子与基质原子的尺寸大小和化学价态是否匹配。尺寸相近、价态相同或相近的原子更容易形成稳定的取代缺陷。
有意引入与无意混入：
- 掺杂：在半导体工业中，这是最重要的技术手段之一。例如，在纯净的硅（Si）晶体中，有目的地掺入少量磷（P）原子（磷原子取代硅原子位置），形成n型半导体，因为磷比硅多一个价电子，成为可自由移动的电子供体。
- 杂质混入：在矿物或合金中，天然存在或在冶炼、加工过程中无意混入的其他元素原子取代基质原子位置。

“取代缺陷”的详细含义解析：

取代：强调外来原子对基质原子位置的占据和替换行为。
缺陷：指这种替换行为破坏了晶体原有的完美周期性结构和成分均一性。虽然称为“缺陷”，但在许多情况下（如半导体掺杂），这种可控的缺陷是材料获得所需性能的关键。
影响：
- 结构畸变：若取代原子尺寸与基质原子差异较大，会导致其周围晶格发生局部膨胀或收缩（晶格畸变）。
- 性能改变：这是取代缺陷最重要的意义。它显著改变材料的电学、光学、磁学或力学性能。例如，掺杂改变半导体的导电类型和电导率；合金元素取代能提高金属的强度、硬度或耐腐蚀性。

权威定义参考来源：

《材料科学基础》教材：国内高校广泛使用的材料科学教材，如清华大学出版社、上海交通大学出版社出版的版本，均会详细定义并阐述点缺陷类型，包括取代缺陷（置换缺陷）。这是理解该概念最基础、最权威的中文来源之一。
IUPAC (国际纯粹与应用化学联合会) 术语数据库：虽然IUPAC更侧重于化学术语，但其关于晶体缺陷的定义具有国际权威性。其在线术语库提供了“substitutional defect”的准确定义。
材料研究学会 (Materials Research Society - MRS) 教育资源：MRS网站提供大量关于材料科学基础的教育资源，包括对晶体缺陷（含取代缺陷）的清晰解释和图示。
国家标准《GB/T 14203-2016 晶体缺陷术语》：该国家标准系统定义了晶体缺陷的各种类型，其中明确包含“置换缺陷”（即取代缺陷），是中文术语的权威依据。

“取代”和“缺陷”是两个独立的词语，需要分别解释：

一、取代（qu dài）

二、缺陷（quē xiàn）

两者的关联
在特定语境中，“取代”可能与“缺陷”搭配使用，例如“取代有缺陷的基因”（），但需注意这属于组合表达而非固定词组。