
【电】 bias; bias voltage
在电子工程领域,"偏压"(piān yā)对应的英文术语为Bias,特指为电子器件(如晶体管、二极管)或电路施加的直流电压或电流,目的是建立其正常工作所需的静态工作点或特定状态。以下是详细解释:
偏压 是为有源器件(如三极管、场效应管)提供的直流偏置条件。它决定了器件在无信号输入时的初始工作状态(Q点),确保器件在放大区域线性工作,避免截止或饱和失真。例如:
直流偏压(DC Bias)
静态工作点设置,公式表示为:
$$ V{CEQ} = V{CC} - I_{CQ} RC $$
其中 (V{CEQ}) 为晶体管静态集射极电压,需避开饱和区((V_{CE} < 0.3V))和截止区((I_C approx 0))。
信号偏压(Signal Biasing)
在射频电路中,偏压可能叠加交流信号,如功率放大器栅极的 (V{GS} = V{GSQ} + v_{gs}(t))。
权威参考来源:
- 清华大学电子工程系《模拟电子技术基础》(第五版),第3章"半导体三极管及放大电路基础",高等教育出版社。
- 华成英, 童诗白主编《模拟电子技术基础》,"放大电路的静态工作点"章节,机械工业出版社。
“偏压”是电子工程领域的专业术语,其核心含义和具体应用可归纳如下:
电子管/真空管中的偏压
指电子管某一电极(如栅极)与阴极之间维持正常工作的固定电位差。例如,栅极对阴极施加负偏压可控制电子流,避免电流饱和。
晶体管中的偏压
在半导体器件中,偏压指基极与射极之间的直流电压(如NPN型晶体管需正偏压),或集电极与基极间的反向偏压,确保晶体管处于放大状态。
正向与反向偏压
多层膜制备
通过交替施加高低偏压,可合成类金刚石多层膜,优化材料性能。
偏压是电子器件正常工作的基础设置,既包括电极间的固定电位差,也涉及电路中的分压设计。其具体数值和方向直接影响器件的工作模式(如放大、截止、饱和),需根据实际需求精确调控。
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