
【電】 bias; bias voltage
在電子工程領域,"偏壓"(piān yā)對應的英文術語為Bias,特指為電子器件(如晶體管、二極管)或電路施加的直流電壓或電流,目的是建立其正常工作所需的靜态工作點或特定狀态。以下是詳細解釋:
偏壓 是為有源器件(如三極管、場效應管)提供的直流偏置條件。它決定了器件在無信號輸入時的初始工作狀态(Q點),确保器件在放大區域線性工作,避免截止或飽和失真。例如:
直流偏壓(DC Bias)
靜态工作點設置,公式表示為:
$$ V{CEQ} = V{CC} - I_{CQ} RC $$
其中 (V{CEQ}) 為晶體管靜态集射極電壓,需避開飽和區((V_{CE} < 0.3V))和截止區((I_C approx 0))。
信號偏壓(Signal Biasing)
在射頻電路中,偏壓可能疊加交流信號,如功率放大器栅極的 (V{GS} = V{GSQ} + v_{gs}(t))。
權威參考來源:
- 清華大學電子工程系《模拟電子技術基礎》(第五版),第3章"半導體三極管及放大電路基礎",高等教育出版社。
- 華成英, 童詩白主編《模拟電子技術基礎》,"放大電路的靜态工作點"章節,機械工業出版社。
“偏壓”是電子工程領域的專業術語,其核心含義和具體應用可歸納如下:
電子管/真空管中的偏壓
指電子管某一電極(如栅極)與陰極之間維持正常工作的固定電位差。例如,栅極對陰極施加負偏壓可控制電子流,避免電流飽和。
晶體管中的偏壓
在半導體器件中,偏壓指基極與射極之間的直流電壓(如NPN型晶體管需正偏壓),或集電極與基極間的反向偏壓,确保晶體管處于放大狀态。
正向與反向偏壓
多層膜制備
通過交替施加高低偏壓,可合成類金剛石多層膜,優化材料性能。
偏壓是電子器件正常工作的基礎設置,既包括電極間的固定電位差,也涉及電路中的分壓設計。其具體數值和方向直接影響器件的工作模式(如放大、截止、飽和),需根據實際需求精确調控。
半疊代法波-赫-佩三氏反應成本會計制度粹帶權圖電解燒堿多房性囊腫返光鏡分段多項式海峽晶狀體匙計算文件規模季碳原子開放基金眶上裂連續尋線硫氯化氮瘘口免疫適應描述木材貨物保險檸檬水氰基烴人口城市集中殺真菌的射極跟隨放大器使恐懼談判前磋商腕掌骨掌側韌帶