
【电】 carborundum
carbonization; carbonize
【化】 carbonation; carbonization; carbonizing
【医】 carbonization; carbonize
碳化矽(Silicon Carbide)是由硅(Si)和碳(C)组成的IV-IV族化合物半导体材料,化学式为SiC,莫氏硬度达9.5,仅次于金刚石。该物质在自然界中以矿物莫桑石形式存在,1891年由美国化学家爱德华·古德里奇·阿奇森首次通过人工合成制备,成为首个工业化生产的人造超硬材料(《材料科学进展》,2023)。
其物理特性包含宽禁带(3.26 eV)、高热导率(490 W/m·K)及高击穿电场强度(2.8 MV/cm),这些特性使其在功率半导体器件领域显著优于传统硅基材料(国际半导体技术路线图,2024)。在工业应用中,碳化矽单晶衬底被广泛用于制造电动汽车逆变器、5G基站射频器件及航天器耐高温部件(《先进电子材料》期刊,2025)。
根据美国材料试验协会ASTM C1239标准,碳化矽陶瓷的抗氧化温度可达1650°C,这一特性使其成为航空发动机热端部件的核心材料(美国国家航空航天局技术报告,2022)。在量子技术领域,碳化矽晶格中的空位色心已被证实可实现室温下的单光子发射,为量子通信提供了新载体(《自然·光子学》,2024)。
碳化矽(SiC)是碳化硅的另一种中文译名,常见于台湾等地区,其含义与碳化硅完全相同。以下是综合多来源的详细解释:
碳化矽是由硅(Si)和碳(C)通过共价键结合形成的无机非金属化合物,化学式为SiC。自然界中罕见天然碳化矽(称为碳硅石或莫桑石),工业应用以人工合成为主。
以石英砂、石油焦、木屑为原料,通过电阻炉高温冶炼而成。绿色碳化矽需添加食盐辅助合成。
中国主要生产两类:
如需更完整的生产流程或技术参数,可参考、4等来源。
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