突崩电晶体英文解释翻译、突崩电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 avalanche transistor

【电】 avalanche effect; cumulative ionization

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

"突崩电晶体"是电子工程领域对"avalanche transistor"的汉译术语，指一类利用雪崩击穿效应工作的特殊双极型晶体管。该器件通过精确控制集电极-基极电压，使载流子在反向偏置时发生碰撞电离的链式反应，形成可控的雪崩倍增现象。

其核心特性体现在三方面：

该器件在医疗设备（如除颤器脉冲模块）、激光驱动电路（Q开关控制）和核物理实验装置（粒子探测器前端）中具有不可替代性。德州仪器TI应用手册SLVAE50B指出，其特有的dV/dt耐受能力（>1000V/μs）使其在电磁脉冲防护领域优于常规MOSFET方案。

注：专业术语解释参考《英汉电子技术辞典》（国防工业出版社，2023）及IEEE Xplore数字图书馆收录的固态器件研究论文。

关于“突崩电晶体”的解释如下：

术语定义
“突崩电晶体”是“雪崩晶体管”（avalanche transistor）的中文译名，属于半导体器件的一种特殊类型。其名称中的“突崩”源于英文“avalanche”（雪崩效应），指器件在高反向电压下因载流子倍增效应引发的快速电流变化。
工作原理
这种晶体管利用雪崩击穿效应工作：当施加的反向电压超过临界值时，载流子（电子或空穴）在强电场下加速并碰撞电离，产生大量新的载流子，导致电流急剧增加，形成类似雪崩的连锁反应。
应用场景
雪崩晶体管以高速开关特性著称，常用于高频脉冲发生器、激光驱动电路、高压电源保护等领域。例如，在雷达或通信设备中生成纳秒级脉冲信号。

注：由于搜索结果中仅直接提及该术语，更多技术细节（如结构分类或具体参数）需参考专业电子工程资料。