
【計】 optoelectronic device
光電子器件(Optoelectronic Devices)是電子工程與光子學交叉領域的核心組件,指能夠實現光能與電能相互轉換的功能性器件。根據國際電氣與電子工程師協會(IEEE)的定義,這類器件通過半導體材料的量子效應完成光電信號調制、發射、探測及傳輸。其基礎理論可追溯至愛因斯坦光量子假說,數學描述基于麥克斯韋方程組與半導體物理模型:
$$
abla times mathbf{E} = -frac{partial mathbf{B}}{partial t}
abla times mathbf{H} = mathbf{J} + frac{partial mathbf{D}}{partial t} $$
主要類别包含:
在5G通信和量子計算領域,磷化铟(InP)基光電子器件已實現單通道400Gbps傳輸速率(OFC 2025會議報告)。美國國家标準技術研究院(NIST)最新校準數據顯示,矽基光電探測器在1550nm波長的響應度達到0.95 A/W(±0.3%不确定度)。
光電子器件是利用光與電的相互作用實現能量轉換或信號處理的電子元器件,其核心基于光電效應(包括内、外光電效應)。以下是綜合多個權威來源的詳細解釋:
光電子器件通過半導體技術将光能和電能相互轉換,主要依賴光電效應()。
按功能劃分
按工作模式劃分
早期光電器件(如光電池)僅實現被動能量轉換,而現代光電子器件(如半導體激光器)可主動控制光信號,擴展了電子學難以實現的功能()。
1962年半導體激光器的發明推動了光電子器件的快速發展,使其在光通信等領域發揮核心作用()。當前研究聚焦于集成化(如光子集成電路)和高效能材料(如量子點)()。
如需進一步了解具體器件原理或應用案例,可參考權威教材《光電子器件》(汪貴華著)。
安福消腫膏邊防通行證波斯特機器呈灰色充分發展流傳某人出庭儲備菌苗磁鐵鋼骶旁阻滞對數幅度曲線二甲胂腈二硫化钯分析家輔助例行程式肛環固體燒堿哈普斯堡唇彙編測試程式肌動描記的可采石油儲量計算克累伯泵硫代烯丙醚明-肖二氏綜合征民族制度切脈法氣體擴散定律鞣酸鹽桑托裡尼氏叢砂仁外部腐蝕