
【電】 photolectric sensitivity
photoelectricity
【醫】 photoelectricity
【計】 sensitivity; sensitivity ratio; susceptiveness
【化】 sensitivity
【醫】 sensitivity
光電靈敏度(photoelectric sensitivity)是光電技術領域的核心參數,指光電探測器在單位光輻射功率下産生的電信號響應能力,通常以安培/瓦特(A/W)或伏特/瓦特(V/W)為計量單位。該術語源于光電效應理論,即材料吸收光子後釋放電子的物理現象。
在漢英對照中,光電靈敏度對應英文術語為“photoelectric sensitivity”,強調器件将光能轉換為電信號的效率。根據愛因斯坦光電方程($E_k = h u - Phi$),其理論基礎與入射光頻率($ u$)及材料逸出功($Phi$)直接相關。
器件的量子效率(QE)和暗電流是主要制約因素。例如矽基光電二極管在波長900nm時靈敏度可達0.65A/W,而铟镓砷探測器在1550nm波段靈敏度可提升至1.1A/W。國際電工委員會(IEC 60747-5)規定了标準測試條件,包括溫度控制在25±1℃及特定光源光譜範圍。
光電靈敏度是光電探測器的重要性能指标,表示其對光信號的響應能力。以下是綜合多個來源的詳細解釋:
定義與公式 光電靈敏度定義為探測器輸出電信號變化量與入射光功率變化量的比值,常用單位是伏/瓦(V/W)或安/瓦(A/W)。其核心公式為: $$ S = frac{Delta V}{Delta P} $$ 其中$Delta V$為輸出電壓變化,$Delta P$為入射光功率變化。例如,靈敏度為10V/W時,1W光功率對應10V電壓輸出。
影響因素
應用特性
測量注意事項 實際應用中需保持入射光功率穩定,并考慮溫度、偏置電壓等外部條件對測量的影響。該參數是評估光電傳感器性能的核心指标之一,尤其在光纖通信、光譜分析等領域具有關鍵作用。
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