
【电】 photolectric sensitivity
photoelectricity
【医】 photoelectricity
【计】 sensitivity; sensitivity ratio; susceptiveness
【化】 sensitivity
【医】 sensitivity
光电灵敏度(photoelectric sensitivity)是光电技术领域的核心参数,指光电探测器在单位光辐射功率下产生的电信号响应能力,通常以安培/瓦特(A/W)或伏特/瓦特(V/W)为计量单位。该术语源于光电效应理论,即材料吸收光子后释放电子的物理现象。
在汉英对照中,光电灵敏度对应英文术语为“photoelectric sensitivity”,强调器件将光能转换为电信号的效率。根据爱因斯坦光电方程($E_k = h u - Phi$),其理论基础与入射光频率($ u$)及材料逸出功($Phi$)直接相关。
器件的量子效率(QE)和暗电流是主要制约因素。例如硅基光电二极管在波长900nm时灵敏度可达0.65A/W,而铟镓砷探测器在1550nm波段灵敏度可提升至1.1A/W。国际电工委员会(IEC 60747-5)规定了标准测试条件,包括温度控制在25±1℃及特定光源光谱范围。
光电灵敏度是光电探测器的重要性能指标,表示其对光信号的响应能力。以下是综合多个来源的详细解释:
定义与公式 光电灵敏度定义为探测器输出电信号变化量与入射光功率变化量的比值,常用单位是伏/瓦(V/W)或安/瓦(A/W)。其核心公式为: $$ S = frac{Delta V}{Delta P} $$ 其中$Delta V$为输出电压变化,$Delta P$为入射光功率变化。例如,灵敏度为10V/W时,1W光功率对应10V电压输出。
影响因素
应用特性
测量注意事项 实际应用中需保持入射光功率稳定,并考虑温度、偏置电压等外部条件对测量的影响。该参数是评估光电传感器性能的核心指标之一,尤其在光纤通信、光谱分析等领域具有关键作用。
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