光電電導英文解釋翻譯、光電電導的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 photoelectric conductance

分詞翻譯：

光電的英語翻譯：

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

電導的英語翻譯：

conductance
【化】 conductance; electric conductance
【醫】 conductance

專業解析

光電電導（Photoconductivity）是半導體物理學中的核心概念，指材料在吸收光子後電導率顯著增加的現象。該術語由"photo-"（光）與"conductivity"（導電性）組合構成，國際音标标注為/ˌfoʊtoʊkɒndʌkˈtɪvɪti/。

其物理機制可分解為三個關鍵過程：

1. 本征激發：光子能量超過材料禁帶寬度時，價帶電子躍遷至導帶，形成電子-空穴對（美國物理聯合會《應用物理詞典》定義）
2. 載流子遷移：激發産生的自由載流子在電場作用下定向運動
3. 弛豫過程：載流子複合恢複平衡态（IEEE光子學期刊實驗數據）

典型應用領域包括：

• 光敏電阻器（CdS器件響應範圍400-800nm）
• 輻射探測器（HgCdTe材料用于紅外探測）
• 光伏器件（非晶矽光導層）

相關術語對照： • 光電導增益(Photoconductive gain)：載流子壽命與渡越時間比值 • 暗電流(Dark current)：無光照時的本底電導 • 響應時間(Response time)：10⁻⁶-10⁻³秒量級（Springer材料科學手冊）

網絡擴展解釋

“光電電導”可能為“光電導”的筆誤。以下是對“光電導”的詳細解釋：

光電導的定義

光電導（Photoconductivity）是指半導體材料在光照下電導率增大的現象。其本質是光照激發出額外載流子（電子或空穴），導緻材料導電能力增強。

核心機制與分類

1. 物理機制
   電導率（σ）由載流子濃度（n、p）和遷移率（μ）決定：
   $$sigma = e(nmu_n + pmu_p)$$
   光照通過兩種方式激發載流子：

   • 本征光電導：光子能量≥禁帶寬度（Eg），使電子從價帶躍遷至導帶，産生電子-空穴對（）。
   • 雜質光電導：光子能量≥雜質能級與能帶間距離，激發雜質能級中的載流子到導帶或價帶（）。

2. 長波限（λ₀）
   存在最大響應波長，由能隙決定：
   $$lambda_0 = frac{hc}{E_g}$$
   其中，h為普朗克常數，c為光速，Eg為能隙（）。

發現與應用

• 發現曆史：1873年W.史密斯在硒材料中首次觀察到光電導現象，隨後在氧化亞銅、硫化铊等材料中進一步研究（）。
• 應用領域：
  用于光敏電阻、紅外探測器、光控開關等器件，涵蓋紫外到紅外波段（）。

補充說明

• 電導：指材料導電能力，數值為電阻的倒數，單位為西門子（S）（）。
• 光電流：光照産生的電流增量，與光電導直接相關（）。

如需進一步了解具體材料或器件原理，可參考高權威性來源（如、2、9）。

分類

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