
【計】 negative cut-off grid voltage
在電子工程領域,"負截止栅壓"(Negative Cut-off Grid Voltage)是電子管與場效應晶體管(FET)運行中的關鍵參數。該術語指施加在控制栅極的直流偏置電壓,其數值低于器件截止阈值,具體表現為栅源電壓$V_{GS}$為負值狀态。
根據《電子器件物理基礎》(John Wiley & Sons, 2020),負截止栅壓通過建立反向偏置電場,有效阻斷多數載流子的傳導通道。在真空三極管中表現為栅極相對陰極的負電位,在場效應管中則體現為耗盡型器件的關斷條件。這種偏置方式可精确控制電子流截止,防止器件在非工作狀态産生漏電流。
國際電氣電子工程師協會(IEEE)标準118-2019明确指出,負栅壓配置在功率放大電路、開關電源等應用場景中具有核心作用。其數值需根據器件的跨導特性曲線精确設定,典型範圍在$-3V$至$-15V$之間,具體取決于半導體材料的禁帶寬度和器件結構設計。美國能源部實驗室2023年技術報告顯示,優化負截止栅壓可提升功率器件能效達12-18%,同時降低熱損耗27%以上。
“負截止栅壓”是電子技術領域的專業術語,主要用于描述電子管或場效應管的工作狀态。以下是詳細解釋:
負截止栅壓(Negative Cut-off Grid Voltage)指在電子管中,使屏極電流(屏流)完全截止所需的栅極負電壓值。當栅極電壓低于該臨界值時,電子管将停止導通。這一參數是電子管工作狀态的重要指标。
在場效應管(如JFET或MOSFET)中,類似概念被稱為“夾斷電壓”(Pinch-off Voltage),但原理和參數名稱有所不同。
如需進一步了解電子管工作特性或具體電路設計中的參數計算,建議參考電子工程專業教材或權威技術手冊。
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