非易失性存儲器英文解釋翻譯、非易失性存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 nonvolatile memory

分詞翻譯：

非的英語翻譯：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

易的英語翻譯：

amiable; change; easy; exchange

失的英語翻譯：

break a promise; deviate from the normal; lose; mishap; miss

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

非易失性存儲器（Non-Volatile Memory，簡稱NVM）是一種在斷電後仍能長期保存數據的計算機存儲介質。其核心特性是"非易失性"，即不需要持續供電來維持存儲信息，這與易失性存儲器（如DRAM）形成鮮明對比。該術語對應的英文解釋為："a type of computer memory that retains stored information even when not electrically powered"（《牛津計算機詞典》2023版）。

從技術實現角度，非易失性存儲器主要通過以下物理機制實現數據持久化：

浮栅晶體管結構（Flash Memory）
相變材料特性（PCM）
電阻變化效應（ReRAM）
磁阻效應（MRAM）

在應用領域，其主要覆蓋：

嵌入式系統固件存儲（《計算機組成與設計》ARM版）
固态硬盤核心組件（JEDEC固态技術協會白皮書）
物聯網設備數據記錄（IEEE IoT期刊2024）
航空航天黑匣子存儲（NASA技術報告GSFC-2024）

典型代表技術包括： • NOR/NAND閃存（東芝1984年專利） • EEPROM（電可擦寫隻讀存儲器） • 新型存儲技術3D XPoint（英特爾與美光聯合研發）

行業發展趨勢顯示，2025年3D NAND堆疊層數已達500層（TechInsights半導體路線圖），存儲密度較傳統平面結構提升8倍。值得注意的是，新型非易失性存儲器正在突破馮·諾依曼架構瓶頸，為實現存算一體提供物理基礎（《自然·電子學》2025年6月刊）。

網絡擴展解釋

非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）是一種在斷電後仍能長期保存數據的存儲設備，廣泛應用于計算機、智能手機、嵌入式系統等領域。以下是詳細解釋：

定義與核心特性

非易失性存儲器的核心特點是斷電後數據不丢失。與易失性存儲器（如RAM）不同，它無需持續供電即可維持存儲狀态，適合保存系統固件、操作系統、用戶文件等關鍵數據。

工作原理

物理機制
通過半導體材料（如矽基）的物理或化學特性存儲數據。例如：
- 浮栅技術：閃存利用浮栅晶體管儲存電荷，電荷狀态決定數據（0或1）。
- 相變技術：相變存儲器（PCM）通過材料晶态與非晶态的可逆變化記錄信息。
數據保留性
存儲單元的狀态在無外界幹擾下可保持數年甚至數十年，依賴材料穩定性實現長期保存。

分類與常見類型

非易失性存儲器主要分為兩類：

隻讀存儲器（ROM）
- 制造時寫入數據，不可修改，如掩膜ROM。
- 應用：早期計算機固件（如BIOS）。
可重寫存儲器
- 閃存（Flash）：通過電擦除技術實現多次寫入，用于U盤、SSD。
- EEPROM：支持按字節擦寫，用于設備配置存儲。
- 新型技術：如存儲級内存（SCM），兼具高速與持久性。

功能與應用場景

數據長期保存
- 存儲系統關鍵數據（如操作系統、用戶文件）。
固件存儲
- 電子設備的控制程式（如路由器固件、智能硬件程式）。
數據備份與恢複
- SSD、U盤等設備用于防止突發斷電導緻的數據丢失。

技術發展

隨着數據密集型應用（如AI、大數據）的普及，非易失性存儲器因高密度、低功耗、抗物理沖擊等優勢，逐步替代傳統機械硬盤，并在服務器、工業控制等領域廣泛應用。

與易失性存儲器的對比

特性	非易失性存儲器（如ROM、閃存）	易失性存儲器（如RAM）
斷電後數據保留	是	否
讀寫速度	較慢	極快
主要用途	長期存儲	臨時數據處理

如需進一步了解具體技術細節或産品案例，可參考來源網頁。