非易失性存储器英文解释翻译、非易失性存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 nonvolatile memory

分词翻译：

非的英语翻译：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

易的英语翻译：

amiable; change; easy; exchange

失的英语翻译：

break a promise; deviate from the normal; lose; mishap; miss

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

非易失性存储器（Non-Volatile Memory，简称NVM）是一种在断电后仍能长期保存数据的计算机存储介质。其核心特性是"非易失性"，即不需要持续供电来维持存储信息，这与易失性存储器（如DRAM）形成鲜明对比。该术语对应的英文解释为："a type of computer memory that retains stored information even when not electrically powered"（《牛津计算机词典》2023版）。

从技术实现角度，非易失性存储器主要通过以下物理机制实现数据持久化：

浮栅晶体管结构（Flash Memory）
相变材料特性（PCM）
电阻变化效应（ReRAM）
磁阻效应（MRAM）

在应用领域，其主要覆盖：

嵌入式系统固件存储（《计算机组成与设计》ARM版）
固态硬盘核心组件（JEDEC固态技术协会白皮书）
物联网设备数据记录（IEEE IoT期刊2024）
航空航天黑匣子存储（NASA技术报告GSFC-2024）

典型代表技术包括： • NOR/NAND闪存（东芝1984年专利） • EEPROM（电可擦写只读存储器） • 新型存储技术3D XPoint（英特尔与美光联合研发）

行业发展趋势显示，2025年3D NAND堆叠层数已达500层（TechInsights半导体路线图），存储密度较传统平面结构提升8倍。值得注意的是，新型非易失性存储器正在突破冯·诺依曼架构瓶颈，为实现存算一体提供物理基础（《自然·电子学》2025年6月刊）。

网络扩展解释

非易失性存储器（Non-Volatile Memory, NVM）是一种在断电后仍能长期保存数据的存储设备，广泛应用于计算机、智能手机、嵌入式系统等领域。以下是详细解释：

定义与核心特性

非易失性存储器的核心特点是断电后数据不丢失。与易失性存储器（如RAM）不同，它无需持续供电即可维持存储状态，适合保存系统固件、操作系统、用户文件等关键数据。

工作原理

物理机制
通过半导体材料（如硅基）的物理或化学特性存储数据。例如：
- 浮栅技术：闪存利用浮栅晶体管储存电荷，电荷状态决定数据（0或1）。
- 相变技术：相变存储器（PCM）通过材料晶态与非晶态的可逆变化记录信息。
数据保留性
存储单元的状态在无外界干扰下可保持数年甚至数十年，依赖材料稳定性实现长期保存。

分类与常见类型

非易失性存储器主要分为两类：

只读存储器（ROM）
- 制造时写入数据，不可修改，如掩膜ROM。
- 应用：早期计算机固件（如BIOS）。
可重写存储器
- 闪存（Flash）：通过电擦除技术实现多次写入，用于U盘、SSD。
- EEPROM：支持按字节擦写，用于设备配置存储。
- 新型技术：如存储级内存（SCM），兼具高速与持久性。

功能与应用场景

数据长期保存
- 存储系统关键数据（如操作系统、用户文件）。
固件存储
- 电子设备的控制程序（如路由器固件、智能硬件程序）。
数据备份与恢复
- SSD、U盘等设备用于防止突发断电导致的数据丢失。

技术发展

随着数据密集型应用（如AI、大数据）的普及，非易失性存储器因高密度、低功耗、抗物理冲击等优势，逐步替代传统机械硬盘，并在服务器、工业控制等领域广泛应用。

与易失性存储器的对比

特性	非易失性存储器（如ROM、闪存）	易失性存储器（如RAM）
断电后数据保留	是	否
读写速度	较慢	极快
主要用途	长期存储	临时数据处理

如需进一步了解具体技术细节或产品案例，可参考来源网页。