
【計】 reversed bias voltage
反偏電壓(Reverse Bias Voltage)是半導體器件中的基礎概念,指在PN結或二極管兩極施加的外部電壓方向與器件正常工作方向相反的偏置狀态。其核心作用是通過擴大耗盡層抑制電流導通,常用于控制器件工作模式與電路保護。
從物理機制分析,反偏電壓使P型半導體連接電源負極,N型半導體連接正極。這種電場方向加速多數載流子遠離結區,導緻耗盡層寬度增加、勢壘升高,形成高阻抗狀态。根據《半導體器件基礎》描述,典型矽二極管在反偏時的漏電流僅為nA級,符合Shockley方程描述的指數關系:
$$
I = I_s(e^{V/(nV_T)} - 1)
$$
其中$I_s$為飽和電流,$V_T$為熱電壓,$n$為理想因子。
工業應用中,反偏電壓直接影響器件的三項關鍵參數:
《電子工程術語表》指出,典型矽二極管的推薦反偏電壓應低于擊穿電壓(V_BR)的70%。例如1N4001整流二極管額定反向峰值電壓為50V,而齊納二極管則利用反向擊穿特性實現穩壓功能。功率器件如IGBT需配合反偏電壓進行動态關斷,以降低開關損耗。
反偏電壓是半導體器件中的關鍵概念,具體解釋如下:
反偏電壓指在PN結或半導體器件(如二極管、三極管)中,外加電壓方向與器件導通方向相反的情況。此時,P區連接電源負極,N區連接正極。
二極管
三極管
如需進一步了解實際電路中的應用場景,可參考來源網頁中的具體案例分析。
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