英语翻译：

【计】 reversed bias voltage

分词翻译：

反的英语翻译：

in reverse; on the contrary; turn over
【医】 contra-; re-; trans-

偏的英语翻译：

deflection; leaning; partial; prejudiced; slanting
【化】 meta-
【医】 meta-

电压的英语翻译：

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

专业解析

反偏电压（Reverse Bias Voltage）是半导体器件中的基础概念，指在PN结或二极管两极施加的外部电压方向与器件正常工作方向相反的偏置状态。其核心作用是通过扩大耗尽层抑制电流导通，常用于控制器件工作模式与电路保护。

从物理机制分析，反偏电压使P型半导体连接电源负极，N型半导体连接正极。这种电场方向加速多数载流子远离结区，导致耗尽层宽度增加、势垒升高，形成高阻抗状态。根据《半导体器件基础》描述，典型硅二极管在反偏时的漏电流仅为nA级，符合Shockley方程描述的指数关系：

$$

I = I_s(e^{V/(nV_T)} - 1)

$$

其中$I_s$为饱和电流，$V_T$为热电压，$n$为理想因子。

工业应用中，反偏电压直接影响器件的三项关键参数：

1. 最大反向耐压（V_RRM）决定器件安全工作范围
2. 结电容（C_j）随偏压增大而减小，影响高频响应
3. 热稳定性受漏电流产生的焦耳热制约

《电子工程术语表》指出，典型硅二极管的推荐反偏电压应低于击穿电压（V_BR）的70%。例如1N4001整流二极管额定反向峰值电压为50V，而齐纳二极管则利用反向击穿特性实现稳压功能。功率器件如IGBT需配合反偏电压进行动态关断，以降低开关损耗。

网络扩展解释

反偏电压是半导体器件中的关键概念，具体解释如下：

定义与基本原理

反偏电压指在PN结或半导体器件（如二极管、三极管）中，外加电压方向与器件导通方向相反的情况。此时，P区连接电源负极，N区连接正极。

在不同器件中的表现

1. 二极管

   • 反偏时，PN结内部电场增强，多数载流子扩散受阻，仅有极小的反向漏电流（由少数载流子漂移形成）。
   • 若反偏电压超过击穿阈值，可能发生雪崩击穿或齐纳击穿，导致器件损坏。

2. 三极管

   • 放大状态下，发射结需正偏（导通），集电结需反偏（截止）。反偏的集电结电场加速载流子漂移，形成集电极电流。
   • 基极反偏时，三极管处于截止状态，无法放大信号。

主要作用

• 控制载流子运动：反偏电压通过电场调节载流子的扩散与漂移。
• 维持器件工作状态：如三极管放大电路中，反偏的集电结确保输出端电流受基极控制。
• 阻断电流：二极管反偏时阻断正向电流，用于整流、保护等场景。

注意事项

• 反偏电压需低于器件的最大反向耐压值（如二极管的VRRM），否则会导致击穿。
• 部分器件（如稳压二极管）利用反向击穿特性实现稳压功能，需在安全范围内使用。

如需进一步了解实际电路中的应用场景，可参考来源网页中的具体案例分析。

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