電洞移動率英文解釋翻譯、電洞移動率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 hol mobility

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【醫】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-

move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【計】 escapement; move; roaming
【醫】 excursion; phoresis; shift; transmigration

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.

電洞移動率（Hole Mobility）是半導體物理學中的核心參數，表示在外加電場作用下，半導體材料中電洞（即價帶空穴）的平均遷移速度與其電場強度的比值，單位為 cm²/(V·s)。其數學表達式為：

$$ mu_p = frac{v_d}{E} $$

其中，$mu_p$為電洞移動率，$v_d$為電洞的漂移速度，$E$為電場強度。該參數直接關聯材料的導電性能，數值越大代表電洞遷移效率越高。

影響因素與典型值

工程應用

在功率器件（如IGBT）設計中，高電洞移動率可降低導通損耗；而在高頻CMOS電路中，需平衡電子與電洞遷移率差異以優化開關速度。國際半導體技術路線圖（ITRS）将遷移率參數列為納米器件性能評估的關鍵指标之一。

參考來源：美國物理學會《半導體材料特性手冊》（鍊接未提供）；IEEE Xplore數據庫《固态電子學基礎》（鍊接未提供）；《半導體器件物理與工藝》（鍊接未提供）。

電洞移動率（空穴遷移率）是半導體物理中的重要概念，指空穴（電洞）在電場作用下定向移動的快慢程度。以下是詳細解釋：

定義與原理
電洞是半導體中電子脫離共價鍵後形成的等效正電荷載流子。移動率反映其在外加電場中的平均漂移速度，計算公式為：
$$mu = frac{v_d}{E}$$
其中，$mu$為遷移率（單位：cm²/(V·s)），$v_d$為漂移速度，$E$為電場強度。
影響因素
- 材料性質：不同半導體材料的晶格結構差異導緻散射效應不同（如矽中空穴遷移率約450 cm²/(V·s)，而鍺中更高）。
- 溫度：溫度升高會增強晶格振動，加劇散射，降低遷移率。
- 摻雜濃度：高濃度雜質增加電離雜質散射，進一步限制遷移率。
與電子遷移率的差異
空穴遷移率通常低于電子遷移率（例如矽中電子遷移率約1500 cm²/(V·s)）。這是N型半導體導電性優于P型的原因之一。
應用領域
- 高頻器件（如微波晶體管）需高遷移率材料以提升響應速度。
- 低遷移率材料可用于調控電流，如某些傳感器的靈敏度優化。
- 半導體工藝通過降低缺陷密度提升遷移率，改善器件性能。

通過控制材料選擇、摻雜工藝和溫度環境，工程師可針對不同場景優化電洞移動率，平衡導電性與器件功能需求。