电洞移动率英文解释翻译、电洞移动率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hol mobility

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【医】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-

move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【计】 escapement; move; roaming
【医】 excursion; phoresis; shift; transmigration

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.

电洞移动率（Hole Mobility）是半导体物理学中的核心参数，表示在外加电场作用下，半导体材料中电洞（即价带空穴）的平均迁移速度与其电场强度的比值，单位为 cm²/(V·s)。其数学表达式为：

$$ mu_p = frac{v_d}{E} $$

其中，$mu_p$为电洞移动率，$v_d$为电洞的漂移速度，$E$为电场强度。该参数直接关联材料的导电性能，数值越大代表电洞迁移效率越高。

影响因素与典型值

工程应用

在功率器件（如IGBT）设计中，高电洞移动率可降低导通损耗；而在高频CMOS电路中，需平衡电子与电洞迁移率差异以优化开关速度。国际半导体技术路线图（ITRS）将迁移率参数列为纳米器件性能评估的关键指标之一。

参考来源：美国物理学会《半导体材料特性手册》（链接未提供）；IEEE Xplore数据库《固态电子学基础》（链接未提供）；《半导体器件物理与工艺》（链接未提供）。

电洞移动率（空穴迁移率）是半导体物理中的重要概念，指空穴（电洞）在电场作用下定向移动的快慢程度。以下是详细解释：

定义与原理
电洞是半导体中电子脱离共价键后形成的等效正电荷载流子。移动率反映其在外加电场中的平均漂移速度，计算公式为：
$$mu = frac{v_d}{E}$$
其中，$mu$为迁移率（单位：cm²/(V·s)），$v_d$为漂移速度，$E$为电场强度。
影响因素
- 材料性质：不同半导体材料的晶格结构差异导致散射效应不同（如硅中空穴迁移率约450 cm²/(V·s)，而锗中更高）。
- 温度：温度升高会增强晶格振动，加剧散射，降低迁移率。
- 掺杂浓度：高浓度杂质增加电离杂质散射，进一步限制迁移率。
与电子迁移率的差异
空穴迁移率通常低于电子迁移率（例如硅中电子迁移率约1500 cm²/(V·s)）。这是N型半导体导电性优于P型的原因之一。
应用领域
- 高频器件（如微波晶体管）需高迁移率材料以提升响应速度。
- 低迁移率材料可用于调控电流，如某些传感器的灵敏度优化。
- 半导体工艺通过降低缺陷密度提升迁移率，改善器件性能。

通过控制材料选择、掺杂工艺和温度环境，工程师可针对不同场景优化电洞移动率，平衡导电性与器件功能需求。