電洞密度英文解釋翻譯、電洞密度的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 hole density

分詞翻譯：

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

洞的英語翻譯：

cave; cavity; hole; hollow
【化】 hole; opening
【醫】 bore; cava; cavern; caverna; cavitas; cavitat; cavity; cavum; syringo-

密度的英語翻譯：

density; thickness
【化】 density
【醫】 density

專業解析

電洞密度（Hole Density）的漢英詞典解釋與物理内涵

1. 術語定義與物理本質

電洞密度（Hole Density），符號通常記為 ( p )（單位：(text{cm}^{-3})），是半導體物理學中描述價帶内空穴（即帶正電的載流子）濃度的重要參數。當半導體價帶中的電子受激發躍遷至導帶後，在價帶留下帶正電的空位，該空位的等效電荷載體稱為“電洞”（Hole）。電洞密度即單位體積内此類空穴的數量。

2. 數學表達與影響因素

在熱平衡狀态下，電洞密度由半導體材料的本征載流子濃度（( n_i )）和摻雜濃度決定：

本征半導體：滿足 ( p = n_i )（( n_i ) 為本征載流子濃度）。
P型半導體：主要受受主雜質濃度 ( N_A ) 影響，近似為 ( p approx N_A )（忽略本征激發）。
其通用計算公式為：

$$

p = N_V e^{-frac{(E_F - E_V)}{kT}}

$$

其中 ( N_V ) 為價帶有效态密度，( E_F ) 為費米能級，( E_V ) 為價帶頂能級，( k ) 為玻爾茲曼常數，( T ) 為溫度。

3. 工程應用與測量意義

電洞密度直接影響半導體的電導率（( sigma = q(mu_n n + mu_p p) )，其中 ( mu_p ) 為空穴遷移率）。在器件設計中（如太陽能電池、晶體管），通過摻雜調控電洞密度可優化載流子輸運效率，提升器件性能。

4. 權威參考文獻

《半導體物理學》（劉恩科，朱秉升著）：系統闡述電洞密度與載流子統計分布理論。
《Physics of Semiconductor Devices》（S.M. Sze, Kwok K. Ng）：經典教材詳述電洞在器件中的動力學行為。

注：因未搜索到可直接引用的線上資源，參考文獻以經典教材替代，确保内容符合（專業性、權威性）标準。

網絡擴展解釋

電洞密度是半導體物理學中的重要概念，具體解釋如下：

基本定義電洞密度指單位體積内存在的電洞數量，屬于電荷載流子濃度的範疇（單位：cm⁻³或m⁻³）。電洞本質上是價帶中電子空缺形成的等效正電荷載體，其密度與半導體導電性直接相關。
**影響因素

摻雜濃度：P型半導體中受主雜質濃度越高，電洞密度越大
溫度：熱激發會産生電子-電洞對，高溫下密度增加
材料特性：如矽的本征載流子濃度在300K時約為1.5×10¹⁰ cm⁻³

測量與應用常用霍爾效應實驗測定，公式為： $$ p = frac{1}{qμ_hρ} $$ 其中q為電荷量，μ_h為空穴遷移率，ρ為電阻率。該參數直接影響二極管、晶體管等器件的阈值電壓與導通特性。

注：電洞密度與網頁中提到的質量密度（kg/m³）屬于不同維度的物理量，前者描述電荷載體分布，後者表征物質質量分布，需注意區分概念邊界。