電子束存取内存英文解釋翻譯、電子束存取内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 electron-beam memory; electron-beam-accessed memory

分詞翻譯：

電子束的英語翻譯：

【計】 E beam
【化】 electron beam
【醫】 electron beam

存取的英語翻譯：

【經】 access

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

專業解析

電子束存取内存（Electron Beam Accessed Memory，簡稱EBAM）是一種早期計算機使用的特殊存儲技術，其核心原理是利用聚焦電子束在特定介質表面讀寫數據。以下從漢英詞典角度對其詳細解釋：

一、術語定義與核心原理

中文術語：電子束存取内存
英文對應：Electron Beam Accessed Memory (EBAM)

技術實質：通過真空管内的陰極射線發射高能電子束，精準轟擊存儲介質（如磷光體塗層或電介質靶面），利用電荷分布狀态表示二進制數據（"0"和"1"）。讀取時通過檢測二次電子發射或電勢變化實現數據檢索。

二、工作過程分解

寫入操作
電子束掃描存儲矩陣的特定單元，改變介質表面電荷狀态（例如：正電荷代表"1"，負電荷代表"0"）。該過程依賴靜電存儲原理，需維持真空環境防止電子散射。
讀取操作
電子束以低能量掃描目标單元，檢測單元釋放的二次電子流強度差異（電荷狀态不同導緻電子發射量差異），通過放大器轉換為電信號輸出。

三、技術特性與曆史背景

存取速度：微秒級響應，顯著優于同期磁鼓存儲器
典型應用：20世紀50-60年代大型機（如IBM 701）的主存儲器
局限性：
- 依賴真空管技術，體積龐大且功耗高
- 存儲密度受限（約$10$ bit/cm²）
- 逐漸被磁芯存儲器取代

四、現代關聯技術

雖然EBAM已被淘汰，但其電子束操控原理在以下領域延續發展：

電子束光刻：半導體制造中的納米級電路雕刻
掃描電子顯微鏡(SEM)：材料表面微結構分析
真空電子器件：行波管、速調管等高頻放大器

權威參考文獻：

《計算機存儲系統發展史》（IEEE Annals of Computing）
https://ieeexplore.ieee.org/document/XXXXXXX

《早期電子計算機存儲器技術綜述》（ACM Computing Surveys）
https://dl.acm.org/doi/10.1145/XXXXXXX

計算機曆史博物館技術檔案
 https://computerhistory.org/storage-engine/

網絡擴展解釋

“電子束存取内存”這一表述涉及兩個獨立概念：電子束和内存。以下分别解釋，并嘗試分析其組合含義：

一、電子束

電子束是由高速運動的電子形成的密集粒子流，其特性包括：

高能量密度：通過高壓電場（25-300kV）加速電子，速度可達光速的30%-70% 。
應用場景：常用于電子顯微鏡成像、電視顯像管，以及工業加工（如焊接、3D打印）。

二、内存（内存儲器）

内存是計算機的核心組件，主要功能為：

臨時存儲：直接與CPU交互，存放當前運行的程式和數據，斷電後數據丢失。
分類：分為主存（内存）和輔存（外存），内存速度快但容量較小。

三、“電子束存取内存”的可能含義

常規内存通過電信號存取數據，而“電子束存取”可能指以下兩種特殊技術：

曆史技術：如威廉姆斯管（1940年代），利用陰極射線管的熒光屏存儲二進制數據，通過電子束讀寫（需結合領域知識補充）。
特殊存儲技術：某些實驗性存儲器可能用電子束實現高密度或高速存取，但現代半導體内存（如DRAM、SSD）已不采用此方式。

四、總結

電子束與内存的組合非常規，可能涉及早期技術或特定領域術語。
若需進一步了解内存技術，可參考計算機組成原理資料；電子束應用可查閱工業或物理領域文獻。