第二晶體管英文解釋翻譯、第二晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transistor seconds

分詞翻譯：

第二的英語翻譯：

second; secondly
【化】 secondary
【醫】 deutero-; deuto-

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

第二晶體管 (dì èr jīngtǐguǎn) 在電子工程領域，通常指代雙極結型晶體管 (Bipolar Junction Transistor, BJT)。該術語源于其作為繼二極管（第一類基本半導體器件）之後出現的、具有更複雜結構和功能的第二代晶體管器件。

核心定義與結構： 第二晶體管/BJT是一種利用兩種極性載流子（電子與空穴）進行導電的三端半導體器件。它由三層摻雜類型交替的半導體材料（N-P-N或P-N-P）構成，形成兩個緊密耦合的PN結。三個電極分别為：

1. 發射極 (Emitter - E)：高摻雜濃度，向基區注入多數載流子。
2. 基極 (Base - B)：極薄且輕摻雜，控制載流子傳輸。
3. 集電極 (Collector - C)：收集由發射極注入、穿越基區的載流子。

工作原理： BJT的核心功能是電流放大。其工作原理基于以下機制：

• 正向偏置發射結：在E-B結施加正向電壓，促使載流子（NPN為電子，PNP為空穴）從發射區注入基區。
• 載流子擴散與控制：注入基區的載流子擴散穿越極薄的基區。基極電流的微小變化可顯著調控穿越基區的載流子數量。
• 反向偏置集電結：在C-B結施加反向電壓，形成強電場，高效收集擴散至集電結邊緣的載流子，形成集電極電流。
• 電流放大：集電極電流 (Ic) 近似等于發射極電流 (Ie)，且遠大于基極電流 (Ib)，滿足關系式：Ic ≈ β * Ib（β為直流電流放大系數）。

關鍵特性參數：

• 電流增益 (β/hFE)：表征基極電流對集電極電流的控制能力，是BJT的核心放大參數。
• 截止頻率 (fT)：衡量晶體管處理高頻信號能力的指标。
• 最大集電極電流 (Ic max)、集電極-發射極擊穿電壓 (Vceo)、功耗 (Pc)：決定器件安全工作區的極限參數。

應用領域： 第二晶體管/BJT因其高跨導、低噪聲等特性，廣泛應用于：

• 模拟電路：放大器（小信號放大、功率放大）、穩壓電路、模拟開關。
• 數字電路：早期邏輯門電路（如TTL），部分特定驅動電路。
• 射頻電路：高頻放大器、振蕩器（尤其在特定功率級别）。
• 傳感器接口電路：光電探測器信號放大等。

術語辨析：

• “第二晶體管” vs. “場效應晶體管 (FET)”： “第二晶體管”特指BJT，以區别基于電場效應控制電流的第三代晶體管FET（如MOSFET）。BJT是電流控制器件，FET是電壓控制器件。
• 曆史語境： “第二晶體管”的稱謂反映了其在半導體器件發展史上的順序位置（二極管→BJT→FET），在現代技術文獻中更常用“雙極結型晶體管 (BJT)”這一标準名稱。

權威參考來源：

1. 《半導體物理與器件》(Semiconductor Physics and Devices) - Donald A. Neamen：經典教材，系統闡述BJT物理原理、特性模型及工作機理。來源：高等教育出版社/ McGraw-Hill Education。
2. IEEE Xplore Digital Library：收錄大量關于BJT設計、建模、應用及可靠性研究的同行評審論文，代表前沿工程實踐。來源：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。
3. 安森美半導體 (onsemi) / 德州儀器 (TI) 器件手冊：提供商用BJT的詳細規格參數、特性曲線、應用指南及封裝信息，代表工業标準。來源：onsemi官網 / TI官網。

網絡擴展解釋

“第二晶體管”這一表述在常規電子學術語中并不常見，可能是特定語境下的翻譯或描述。以下是綜合信息後的解釋：

一、詞義拆解

1. 第二
   通常表示順序或次要屬性，英文可譯為“second”或“secondary”。在電子學中可能指電路中的第二個晶體管元件，或某種次級功能模塊。

2. 晶體管
   一種用鍺、矽等半導體材料制成的電子器件，核心功能包括整流、檢波、信號放大等，具有體積小、抗震性強、能耗低的特點。

二、組合含義推測

結合上述拆解，“第二晶體管”可能的含義包括：

• 順序性指代：電路中按順序排列的第二個晶體管元件。
• 功能層級劃分：主電路之外的次級晶體管模塊（如輔助電路部分）。
• 翻譯誤差：提到英文直譯為“transistor seconds”，但該表述不符合常規術語，可能為誤譯，建議結合上下文确認。

三、建議

若該詞來源于特定文獻或技術文檔，需結合上下文進一步分析。常規情況下，建議使用标準術語如“secondary transistor”或直接标明序號（如“transistor 2”）以避免歧義。

分類

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