存儲器訪問指令英文解釋翻譯、存儲器訪問指令的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory reference instruction

storage; store
【計】 M; memorizer; S

call on; interview; visit
【計】 access; accessing; addressing; C; call-on
【經】 calling

dictate; directive; injunction; instruction; mandate; statement
【計】 directive; I; instruction
【經】 command; injunction; instruction; precept

存儲器訪問指令是計算機體系結構中的核心概念，指中央處理器（CPU）與存儲器之間進行數據傳輸的操作命令。根據《計算機組成與設計：硬件/軟件接口》（Computer Organization and Design）的定義，這類指令包含兩個基礎類型：

其作用機制涉及地址計算-數據傳輸-狀态更新三階段，需通過地址總線定位目标存儲單元，再經數據總線完成讀寫操作。根據IEEE标準754，存儲器訪問需遵循特定尋址模式（如直接尋址、間接尋址）和内存對齊規則。

在工業應用中，存儲器訪問指令直接影響系統性能。例如，嵌入式系統通過優化訪問指令減少延遲，而高性能計算（HPC）則依賴向量加載指令實現并行數據處理。此類指令的英文術語為"Memory Access Instructions"，常見于彙編語言手冊與計算機體系結構教材。

存儲器訪問指令是計算機指令集中用于在寄存器（CPU内部存儲單元）和存儲器（内存）之間傳輸數據的一類指令。其核心功能是完成數據在内存與CPU之間的讀寫操作，是程式執行過程中必不可少的基礎指令類型。

數據傳輸
通過LOAD（加載）和STORE（存儲）操作實現：
- LOAD指令（如LDR）：将内存指定地址的數據讀取到寄存器，例如 LDR R1, [0x2000] 将内存地址0x2000的内容加載到寄存器R1。
- STORE指令（如STR）：将寄存器的數據寫入内存地址，例如 STR R2, [0x3000] 将R2的值存入地址0x3000。
地址計算
支持多種尋址模式，如立即數尋址（直接指定地址）、寄存器間接尋址（通過寄存器保存地址）、基址偏移尋址（如[R3 + 0x4]）等，靈活訪問内存不同區域。
内存管理
部分指令涉及内存屏障（Memory Barrier）或原子操作（如CAS），确保多線程環境下數據一緻性。

數據加載的地址計算可表示為：
$$ text{Effective Address} = text{Base Register} + (text{Index Register} times text{Scale}) + text{Displacement} $$

不同架構的指令集設計差異較大，例如x86的MOV指令和ARM的LDR/STR指令在操作數格式和尋址方式上存在顯著區别。理解這類指令需結合具體處理器的編程手冊。