读间串扰英文解释翻译、读间串扰的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 read-to-read crosstalk

分词翻译：

读的英语翻译：

attend school; read
【计】 R
【医】 reading

间的英语翻译：

among; between; separate; sow discord; space
【化】 meta-
【医】 dia-; inter-; meta-

串扰的英语翻译：

【计】 cross fire; crosstalk

专业解析

在电子工程与存储器技术领域，"读间串扰"对应的英文术语为Read Disturb 或Read Disturbance。以下是其详细解释：

一、术语定义与核心概念

中文定义
"读间串扰"指在非易失性存储器（如NAND闪存）中，当反复读取某一存储单元（Memory Cell）时，相邻存储单元的电平状态可能被意外改变的现象。这种干扰源于读取操作施加的电压对邻近单元电荷的累积影响，属于存储器可靠性问题的一种。
英文对照
- Read Disturb：标准术语，强调读取操作引发的干扰效应。
- Read Disturb Error (RDE)：特指由此导致的数据错误。

二、物理机制与成因

电荷注入效应
读取操作需向目标单元的字线（Word Line）施加电压（如V_read）。该电压可能通过电容耦合或隧道效应，使相邻未选单元浮栅（Floating Gate）的电子发生迁移，改变其阈值电压（V_th）。
工艺尺度缩小的加剧
随着存储器制程进入纳米级（如1x nm以下），单元间距减小导致电场串扰增强，使读间串扰成为高密度存储器的关键挑战。

三、影响与后果

数据完整性破坏：被干扰单元可能从编程态（Programmed State）跳变为擦动态（Erased State），导致比特翻转（Bit Flip）。
可靠性下降：长期累积效应会缩短存储器寿命，尤其在QLC/PLC等高密度存储方案中更为显著。

四、缓解技术

纠错编码（ECC）
采用LDPC等强纠错码实时检测并修复错误比特。

读取刷新（Read Refresh）
定期重写受频繁读取影响的数据块，重置电荷状态。

物理结构优化
3D NAND通过垂直堆叠结构降低横向干扰，替代平面NAND的局限性。

五、行业应用场景

该现象在SSD、eMMC/UFS嵌入式存储及数据中心冷存储系统中至关重要。JEDEC标准JESD218明确将读间串扰列为固态设备耐久性测试的核心参数之一。

权威参考来源

IEEE Transactions on Electron Devices: "Read Disturb Analysis in 3D NAND Flash Memory" (DOI: 10.1109/TED.2020.3048996)
Micron Technology Technical Note: "NAND Flash Read Disturb Management" (micron.com)
JEDEC Standard JESD218: "Solid State Drive (SSD) Endurance Test Method" (jedec.org)
《半导体存储器技术》（ISBN 978-7-121-35011-2），第8章"可靠性机制"

网络扩展解释

"读间串扰"可能是术语表述的误差，实际应为"串扰"(Crosstalk)，指电路信号传输中相邻线路的电磁干扰现象。以下是综合多个权威来源的详细解释：

一、基本定义串扰是高速数字电路中两条信号线之间通过互容（电场耦合）和互感（磁场耦合）引起的非预期能量传递现象。它会导致受害线路出现噪声，进而引发信号失真、时序偏移等问题，被公认为影响信号完整性的重要因素。

二、核心分类

耦合方式
- 容性串扰：由分布电容产生的电场耦合，与信号电压变化率成正比
- 感性串扰：由互感产生的磁场耦合，与信号电流变化率成正比
空间位置
- 近端串扰：发生在干扰源近端的干扰（后向串扰）
- 远端串扰：发生在干扰源远端的干扰（前向串扰）

三、数据读取场景的影响在存储器读写等高频操作中，相邻地址线/数据线间易出现串扰。例如：

读取操作时，相邻线路的快速电平跳变会通过互容/互感耦合到目标线路
导致信号波形畸变（如振铃、过冲）或误判逻辑电平

四、抑制措施

增大走线间距（3W原则：间距≥3倍线宽）
采用差分信号传输
添加地线屏蔽层
使用端接匹配技术

注：若需更专业的存储电路串扰分析，建议参考IEEE信号完整性相关文献。