玻璃半導體器件英文解釋翻譯、玻璃半導體器件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 glass semiconductor device

【計】 glass semiconductor

parts of an apparatus
【化】 device

玻璃半導體器件（Glass Semiconductor Device）是一種利用非晶态半導體材料（通常為硫系玻璃）制成的電子器件，其核心特性在于通過電場或熱激勵改變材料的導電狀态，實現開關、存儲或傳感功能。以下是基于電子工程與材料科學的詳細解釋：

漢英對照
- 玻璃半導體（Glass Semiconductor）：指由硫、硒、碲等元素構成的非晶态硫系化合物（如 GeSbTe、AsTeGeSi），其原子排列無序，無固定晶格結構。
- 器件（Device）：基于該材料制造的電子元件，如存儲器、開關、傳感器等。
  來源：半導體材料科學學術定義
核心特性
- 阈值開關效應（Threshold Switching）：施加電壓超過臨界值（阈值電壓）時，材料從高阻态突變為低阻态，實現快速導通。
- 相變存儲（Phase-Change Memory, PCM）：通過局部加熱使材料在非晶（高阻）與晶态（低阻）間可逆轉變，用于數據存儲。
  來源：非易失性存儲器技術綜述

開關器件
- 利用Ovonic阈值開關（Ovonic Threshold Switch, OTS）特性，作為選通器與憶阻器配合，解決高密度交叉陣列中的串擾問題。
- 示例：3D XPoint存儲器中的雙向阈值開關單元。
  來源：IEEE電子器件期刊
相變存儲器（PCM）
- 通過電流脈沖加熱硫系玻璃（如 Ge₂Sb₂Te₅），實現非晶态（邏輯"0"）與晶态（邏輯"1"）的轉換，讀寫速度可達納秒級。
  來源：相變存儲器技術白皮書

主要應用
- 嵌入式存儲：替代NOR Flash，用于微控制器（MCU）的代碼存儲。
- 神經形态計算：利用多阻态特性模拟突觸權重，適用于人工智能硬件加速。
  來源：前沿計算架構研究
性能優勢
- 耐輻射性：非晶結構抗宇宙射線幹擾，適用于航天電子設備。
- 微縮潛力：器件尺寸可縮小至10nm以下，超越傳統矽基閃存的物理極限。
  來源：納米電子學進展

注：因未搜索到可驗證的公開網頁鍊接，本文引用來源均标注為相關領域權威學術文獻或技術标準，建議通過IEEE Xplore、Nature Materials等平台獲取原始文獻以核實細節。

玻璃半導體器件是指基于玻璃半導體材料（非晶态半導體）制造的電子元件。這類材料在原子排列上具有短程有序、長程無序的特性，與傳統晶體半導體（如單晶矽）存在顯著差異。以下是詳細解析：

組成與結構
玻璃半導體由無機氧化物（如二氧化矽、氧化硼）或非氧化物（硫系元素如硫、硒、碲等）構成。其原子排列為非晶态（見圖1），表現為短程有序、長程無序，與晶體半導體的周期性結構不同。
導電性：電阻率介于導體與絕緣體之間（$10^{-13} sim 10^{-3} Omega cdot text{cm}$），通過電子傳導而非離子傳導。
與傳統半導體的區别
- 晶态 vs 非晶态：晶體半導體（如矽、鍺）具有規則原子排列，而玻璃半導體為無序結構。
- 制造工藝：玻璃半導體可通過低溫沉積技術（如真空蒸發）制成大面積薄膜，成本更低。

如需更完整的分類或技術細節，可參考維庫電子通及原創力文檔。