
【計】 junction field effect transistor
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud
model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type
【計】 FET; field effect transistor
面結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)是一種利用半導體PN結電場效應控制電流的單極型半導體器件。其核心結構由源極(Source)、漏極(Drain)和栅極(Gate)組成,通過栅極與導電溝道之間形成的反向偏置PN結來調節電流。以下是其關鍵特性解析:
JFET基于摻雜半導體材料(如N型或P型矽)形成導電溝道。以N溝道JFET為例,兩個P+型區域嵌入N型半導體基片,構成栅極。當栅-源極間施加反向電壓時,PN結耗盡區擴展,導緻N型溝道截面積縮小,從而控制漏極電流。
線性區:漏源電壓(VDS)較小時,電流隨電壓線性增長
數學表達式為:
$$ ID = beta left( 2(V{GS} - VP)V{DS} - V_{DS} right) $$
其中β為跨導系數,VP為夾斷電壓。
飽和區:VDS超過夾斷電壓後,電流趨于穩定,用于放大功能。
參數 | N溝道JFET | P溝道JFET |
---|---|---|
材料構成 | N型半導體溝道 | P型半導體溝道 |
載流子類型 | 電子導電 | 空穴導電 |
電壓極性 | VGS <0 | VGS >0 |
權威參考文獻:
結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)是一種利用電場效應控制電流的三端半導體器件,屬于單極型晶體管(僅一種載流子參與導電)。以下是其核心要點:
結構組成
類型區分
電壓控制溝道
輸出特性
JFET屬于耗盡型器件(零栅壓時導通),而MOSFET可通過增強型或耗盡型設計實現。此外,JFET栅極通過PN結控制,而MOSFET采用絕緣栅結構。
如需進一步了解具體參數或電路設計案例,可參考(工作原理分析)或(技術發展背景)。
剝脫性骨炎被放逐者被控軸醋地砜單螺紋單一同态二磺酸萘酚發給許可證費用法拉第磁光效應分時系統分類接口弗勒利希氏侏儒故障保險軟件黃花黃芩互許貿易差額靜脈切開繼姊妹均勻冷卻利裡氏酸性蘇木精明礬染劑氯代甲氧苯氨買入股本以達到收購另一公司的目的描述符語言納索氏試驗坡口檢查輕觸刃型位錯三尖瓣隔側尖石灰乳室外勤稽核