面结型场效应晶体管英文解释翻译、面结型场效应晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 junction field effect transistor

分词翻译：

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

场效应晶体管的英语翻译：

【计】 FET; field effect transistor

专业解析

面结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一种利用半导体PN结电场效应控制电流的单极型半导体器件。其核心结构由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）组成，通过栅极与导电沟道之间形成的反向偏置PN结来调节电流。以下是其关键特性解析：

一、结构原理

JFET基于掺杂半导体材料（如N型或P型硅）形成导电沟道。以N沟道JFET为例，两个P+型区域嵌入N型半导体基片，构成栅极。当栅-源极间施加反向电压时，PN结耗尽区扩展，导致N型沟道截面积缩小，从而控制漏极电流。

二、工作模式

1. 线性区：漏源电压（V_DS）较小时，电流随电压线性增长

   数学表达式为：

   $$ ID = beta left( 2(V{GS} - VP)V{DS} - V_{DS} right) $$

   其中β为跨导系数，V_P为夹断电压。

2. 饱和区：V_DS超过夹断电压后，电流趋于稳定，用于放大功能。

三、类型对比

四、典型应用

• 高阻抗输入级：用于示波器探头（输入阻抗可达10¹²Ω）
• 射频电路：低噪声放大器设计（工作频率达GHz级别）
• 工业控制：液位传感器开关电路

权威参考文献：

1. 《半导体器件物理与工艺》（第3版），施敏著，Wiley出版社
2. IEEE Xplore文献库：JFET高频特性分析（文献编号: 10.1109/TED.2020.3045816）

网络扩展解释

结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一种利用电场效应控制电流的三端半导体器件，属于单极型晶体管（仅一种载流子参与导电）。以下是其核心要点：

一、基本结构与类型

1. 结构组成

   • 以N型或P型半导体为主体（分别称为N沟道或P沟道），两侧通过高掺杂形成两个对称的PN结，连接后引出栅极（G）。
   • 半导体两端分别引出源极（S）和漏极（D），电流通过沟道在源漏之间流动。

2. 类型区分

   • N沟道JFET：主体为N型半导体，栅极为P型掺杂。
   • P沟道JFET：主体为P型半导体，栅极为N型掺杂。

二、工作原理

1. 电压控制沟道

   • 栅源电压（V_GS）反向偏置时，PN结耗尽层扩展，挤压导电沟道宽度，从而控制源漏电流（I_D）。
   • 当V_GS达到夹断电压（V_P）时，沟道完全关闭，电流截止。

2. 输出特性

   • 三极管区：漏源电压（V_DS）较低时，I_D随V_DS线性变化。
   • 饱和区：V_DS增大后，电流趋于饱和，此时I_D主要受V_GS控制。

三、主要特点

1. 高输入阻抗
   栅极PN结反向偏置，输入阻抗可达10⁸~10⁹Ω，适合高灵敏度电路。
2. 低噪声与低功耗
   单极载流子导电机制减少了热噪声，且静态功耗较低。
3. 电压控制特性
   输出电流由栅极电压调控，无需输入电流，简化驱动电路设计。

四、典型应用

• 放大电路：用于小信号放大，如音频前置放大器。
• 开关电路：利用夹断特性实现电子开关功能。
• 高阻抗匹配：适用于传感器信号采集等需高输入阻抗的场景。

五、与MOSFET的区别

JFET属于耗尽型器件（零栅压时导通），而MOSFET可通过增强型或耗尽型设计实现。此外，JFET栅极通过PN结控制，而MOSFET采用绝缘栅结构。

如需进一步了解具体参数或电路设计案例，可参考（工作原理分析）或（技术发展背景）。

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