基極電阻英文解釋翻譯、基極電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 base resistace; base resistance

分詞翻譯：

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

電阻的英語翻譯：

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

專業解析

在電子工程領域，"基極電阻"（Base Resistance）是雙極結型晶體管（BJT）的關鍵參數之一，其漢英對照定義及技術内涵如下：

一、基礎定義

漢語釋義：基極電阻（rₐ）指BJT基區材料對載流子（空穴或電子）流動的阻礙作用，反映基極電流（I_B）通過基區時産生的歐姆損耗。

英文術語：Base Resistance (symbol: r_b or r_bb')

來源：《牛津電子工程詞典》第5版

二、物理特性

構成要素
- 體電阻（r_bv）：基區半導體材料本身的電阻率，與摻雜濃度成反比
- 接觸電阻（r_bc）：金屬電極與半導體基區的界面電阻
  來源：清華大學《半導體器件物理》教材
數學表征
小信號模型中的基極電阻滿足：

$$ rb = frac{partial V{BE}}{partial I_B} $$

其中V_BE為基極-發射極電壓，I_B為基極電流。

來源：IEEE論文《BJT高頻模型參數提取》

三、電路作用

開關特性：影響BJT導通/關斷速度（$t_d propto r_b C_c$，Cc為結電容）
噪聲性能：基極電阻熱噪聲($overline{v_n}=4kTr_b Delta f$)制約放大器信噪比
功率損耗：在大電流應用中引發放熱效應($P_{loss}=I_B r_b$)
來源：ADI公司應用筆記AN-114

四、典型參數範圍

晶體管類型	基極電阻典型值	應用場景
小信號BJT	10-500 Ω	射頻放大器
功率BJT	1-20 Ω	電源開關電路

數據來源：安森美半導體器件手冊

網絡擴展解釋

基極電阻是晶體管電路中的重要概念，具體可分為以下兩類解釋：

一、晶體管内部基區電阻

這是由半導體材料本身特性形成的固有電阻，屬于晶體管内部結構參數。它由基區材料電阻率、幾何尺寸（如面積、厚度）和摻雜濃度決定。其作用路徑包括：

基極金屬接觸電阻：電極與半導體接觸處的電阻
橫向基區體電阻：電流從接觸點流向發射結時的路徑電阻

該電阻會影響晶體管的高頻特性，數值通常在幾十到幾百歐姆之間。

二、外部電路基極電阻

指外接在基極電路中的電阻，主要作用包括：

電流控制：通過$Rb = frac{V{cc}-V_{be}}{I_b}$公式設定基極偏置電流，建立靜态工作點
保護功能：
- 防止信號源過載
- 限制基極電流避免器件燒毀（如無電阻時基極電流可能過大）
信號轉換：将驅動信號源的電流輸出轉換為電壓信號
高速優化：并聯加速電容可提升高頻開關性能

設計要點

阻值選擇：需平衡信號驅動能力與功耗，常用10kΩ量級
可靠性設計：保證晶體管在輸入高阻态時可靠截止
溫度穩定性：需配合其他元件補償溫度漂移

兩類電阻共同影響晶體管放大倍數、頻率響應和熱穩定性。實際應用中需根據電路類型（放大/開關）進行參數優化。