漸近崩潰電壓英文解釋翻譯、漸近崩潰電壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 asymptotic breakdown voltage

分詞翻譯：

漸近的英語翻譯：

【計】 asymptotically

崩潰電壓的英語翻譯：

【電】 avalenche voltage; breakdown voltage; electrie breakdown voltage
voltage breakdown

專業解析

漸近崩潰電壓（Avalanche Breakdown Voltage）是半導體器件中的一個關鍵參數，指在反向偏置條件下，載流子通過碰撞電離引發雪崩倍增效應所需的最小電壓值。該現象常見于PN結或晶體管中，當反向電場強度達到臨界值時，自由載流子被加速并獲得足夠動能，與晶格原子碰撞産生新的電子-空穴對，形成連鎖反應并導緻電流急劇上升。

從物理機制看，其核心在于雪崩擊穿效應。根據《半導體器件物理》（S. M. Sze, 2007）的表述，該電壓與材料的禁帶寬度、載流子遷移率及摻雜濃度直接相關，數學關系可表示為： $$ V_{BR} propto frac{E_g^{3/2}}{N_D^{1/4}} $$ 其中$E_g$為材料帶隙，$N_D$為摻雜濃度。

工程應用中，該參數對器件可靠性有重要影響。IEEE Std 315-1975明确規定，功率二極管和齊納二極管的設計必須預留至少20%的安全裕度，以防止熱失控現象（參考IEEE Xplore數據庫收錄文檔）。在電路保護領域，其典型應用包括：

浪湧保護器件中的電壓箝位功能
開關電源的過壓保護阈值設定
高壓集成電路的絕緣設計基準

行業測試需遵循JEDEC JESD22-C101标準，采用溫度加速壽命試驗法評估器件的長期穩定性。實驗數據顯示，矽基器件的崩潰電壓溫度系數約為+0.1%/°C，而碳化矽器件表現出更優的溫度穩定性（數據源自《微電子電路》第5版，Adel S. Sedra著）。

網絡擴展解釋

漸近崩潰電壓（Asymptotic Breakdown Voltage）是電學領域的專業術語，主要用于描述電壓接近擊穿臨界值的漸近行為。以下是詳細解釋：

1.基本定義

漸近崩潰電壓指電壓逐漸接近擊穿電壓（Breakdown Voltage）時，電氣特性（如電流或電場強度）趨于某個極限值的狀态。其英文對應為asymptotic breakdown voltage，強調電壓在擊穿前的“漸近”特性，即無限接近但未完全達到擊穿點前的臨界狀态。

2.應用背景

電擊穿現象：當電壓超過材料的絕緣能力時，會發生擊穿（如空氣擊穿、半導體PN結反向擊穿）。漸近崩潰電壓通常出現在擊穿前的過渡階段，此時電場強度或電流逐漸趨近臨界值。
半導體器件：例如晶體管或二極管中，當反向電壓接近擊穿電壓時，電流可能呈指數增長，但尚未完全擊穿，此時的狀态可視為漸近崩潰。

3.與其他概念的區分

崩潰電壓（Breakdown Voltage）：材料或器件發生擊穿的明确臨界值，如額定電壓的70%（電動機無法啟動的阈值）或半導體器件的反向擊穿電壓。
臨界電壓：通常指運行中設備的最低工作電壓（如電動機堵轉時的50%額定電壓），與漸近崩潰電壓的“趨近”過程不同。

4.技術意義

在電路設計和器件制造中，分析漸近崩潰電壓有助于預測擊穿前的異常狀态，例如：

評估絕緣材料的可靠性；
優化半導體器件的耐壓性能；
設計欠壓保護裝置（如斷路器中的欠電壓脫扣器）。

如需進一步了解擊穿機制或具體器件的電壓參數，可參考電介質物理或半導體器件相關文獻。