
【电】 asymptotic breakdown voltage
【计】 asymptotically
【电】 avalenche voltage; breakdown voltage; electrie breakdown voltage
voltage breakdown
渐近崩溃电压(Avalanche Breakdown Voltage)是半导体器件中的一个关键参数,指在反向偏置条件下,载流子通过碰撞电离引发雪崩倍增效应所需的最小电压值。该现象常见于PN结或晶体管中,当反向电场强度达到临界值时,自由载流子被加速并获得足够动能,与晶格原子碰撞产生新的电子-空穴对,形成连锁反应并导致电流急剧上升。
从物理机制看,其核心在于雪崩击穿效应。根据《半导体器件物理》(S. M. Sze, 2007)的表述,该电压与材料的禁带宽度、载流子迁移率及掺杂浓度直接相关,数学关系可表示为: $$ V_{BR} propto frac{E_g^{3/2}}{N_D^{1/4}} $$ 其中$E_g$为材料带隙,$N_D$为掺杂浓度。
工程应用中,该参数对器件可靠性有重要影响。IEEE Std 315-1975明确规定,功率二极管和齐纳二极管的设计必须预留至少20%的安全裕度,以防止热失控现象(参考IEEE Xplore数据库收录文档)。在电路保护领域,其典型应用包括:
行业测试需遵循JEDEC JESD22-C101标准,采用温度加速寿命试验法评估器件的长期稳定性。实验数据显示,硅基器件的崩溃电压温度系数约为+0.1%/°C,而碳化硅器件表现出更优的温度稳定性(数据源自《微电子电路》第5版,Adel S. Sedra著)。
渐近崩溃电压(Asymptotic Breakdown Voltage)是电学领域的专业术语,主要用于描述电压接近击穿临界值的渐近行为。以下是详细解释:
渐近崩溃电压指电压逐渐接近击穿电压(Breakdown Voltage)时,电气特性(如电流或电场强度)趋于某个极限值的状态。其英文对应为asymptotic breakdown voltage,强调电压在击穿前的“渐近”特性,即无限接近但未完全达到击穿点前的临界状态。
在电路设计和器件制造中,分析渐近崩溃电压有助于预测击穿前的异常状态,例如:
如需进一步了解击穿机制或具体器件的电压参数,可参考电介质物理或半导体器件相关文献。
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