光阻英文解釋翻譯、光阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【醫】 light resistance

分詞翻譯：

光的英語翻譯：

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-

阻的英語翻譯：

block; hinder; obstruct
【醫】 lock

專業解析

光阻（Photoresist），在半導體制造和微電子加工領域是核心材料之一，其定義、特性和應用可詳細闡述如下：

一、基本定義與英文對應

光阻，英文術語為Photoresist（或縮寫為PR），由 "photo"（光）和 "resist"（抵抗）組合而成。它是一種對特定波長光線敏感的高分子化合物薄膜，通過曝光顯影形成微細圖形，用于保護下層材料免受刻蝕或離子注入影響。根據顯影特性分為：

正性光阻（Positive Photoresist）：曝光區域在顯影液中溶解，形成與掩模版相同的圖形。
負性光阻（Negative Photoresist）：曝光區域交聯固化，未曝光部分溶解，形成與掩模版相反的圖形。

二、核心功能與工作原理

光阻在光刻工藝中充當臨時圖形轉移媒介：

塗覆：通過旋塗在矽片表面形成均勻薄膜。
曝光：紫外光（如 g線、i線）或深紫外光（DUV、EUV）透過掩模版照射光阻，引發光化學反應。
顯影：化學溶劑溶解可溶部分，形成三維微結構。
圖形轉移：通過刻蝕或沉積将圖形複制到基底層。

三、主要成分與技術分類

樹脂基質：如酚醛樹脂（負膠）、丙烯酸酯（正膠），提供機械穩定性。
光敏劑：如重氮萘醌（DNQ，正膠用）或雙疊氮化物（負膠用），觸發光化學反應。
溶劑：丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）等，調節粘度以便塗布。
先進類型：化學放大光阻（CAR，含光酸産生劑）、極紫外（EUV）光阻（高靈敏度低粗糙度）。

四、應用領域

光阻是集成電路制造的關鍵材料，應用于：

半導體器件：晶體管、存儲器的納米級圖形制作。
微機電系統（MEMS）：微傳感器、執行器的結構加工。
顯示面闆：LCD/OLED 像素刻蝕與薄膜圖案化。
先進封裝：晶圓級封裝（WLP）的再布線層（RDL）形成。

五、技術重要性

光阻性能直接影響制程精度：

分辨率：決定最小可加工線寬（如 EUV 光阻支持 3nm 節點）。
線邊緣粗糙度（LER）：影響器件電學特性一緻性。
靈敏度與抗刻蝕性：平衡曝光效率與圖形轉移保真度。

權威參考來源：

《半導體制造技術導論》（Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology），霍宏偉著，電子工業出版社。
國際半導體技術路線圖（ITRS）及替代報告（IRDS），定義光刻膠技術指标。
美國化學會（ACS）出版物《化學評論》（Chemical Reviews）光刻膠化學綜述。
應用材料（Applied Materials）、東京應化（TOK）、JSR 等廠商技術白皮書。

網絡擴展解釋

光阻，又稱光阻劑，是一種用于光刻工藝的光敏材料，廣泛應用于半導體芯片、集成電路等微電子器件的制造中。以下是詳細解釋：

1.基本定義與作用

光阻是一種對光敏感的聚合物或樹脂，其主要作用是通過曝光和顯影過程在材料表面形成精細圖案，從而為後續蝕刻、沉積等工藝提供掩膜保護。例如，在半導體制造中，光阻層被紫外線照射後，特定區域會發生化學變化，顯影後形成所需結構，進而定義電路圖案。

2.分類與特性

根據曝光後的溶解特性，光阻分為兩類：

正向光阻（Positive Photoresist）：曝光區域發生光解反應，變得可溶于顯影液，未曝光部分保留。這種光阻適合制作高分辨率的小型圖案。
負向光阻（Negative Photoresist）：曝光區域交聯固化，不溶于顯影液，未曝光部分被溶解。其機械穩定性更強，但分辨率相對較低。

3.工作原理

光阻通過光化學反應實現圖案轉移：

塗覆：将液态光阻均勻塗布在基闆表面。
曝光：用紫外光（或其他短波長光源）透過掩模版選擇性照射光阻，引發光敏基團反應。
顯影：顯影液溶解可溶區域，留下圖案化的光阻層，用于後續蝕刻或離子注入。

4.應用領域

半導體制造：用于集成電路的晶體管、導線等微觀結構加工。
顯示面闆：在LCD、OLED屏幕中定義像素和電路。
微機電系統（MEMS）：制作微型傳感器、執行器的三維結構。

5.補充說明

光阻的性能直接影響器件的精度和良率，因此需根據工藝需求選擇不同類型。例如，正向光阻因高分辨率常用于先進制程（如7nm以下芯片），而負向光阻多用于封裝等對精度要求較低的環節。

如需進一步了解光阻的化學組成或具體工藝參數，可參考專業文獻或權威百科（如搜狗百科）。